节能MCU内核可延长电池寿命

这种特殊的电池具有很好的使用寿命或自放电率，数据表显示10年之后其容量仍达90%。非常相似的是，这相当于连续充电约0.25?A，如果能够达到10到20年的电池寿命，那么它可以满足应用的一般要求。

伴随电池寿命的是有限的电荷数，设计者必须在MCU运行的所有阶段减少产品的电流和运行时间，不仅要减少每微安数，还要减少每个动作花费的每个微秒。

为减小深度睡眠模式下消耗的电流，在能源敏感应用的MCU中采用8位(或16位)内核已经非常普遍。其理由是，8位内核(即使是在这类设计中经常采用的最新版本中)很小，门控相对较少，静电电流或漏电流较低。但是，现在的许多应用都需要比8位内核所能提供的更大的处理能力。在其它MCU应用领域，用户往往选择从8位升级到一个32位环境。在低功耗的情况下，人们一直先入为主地认为32位内核在其掉电模式状态下使用的电流一定高得令人无法接受。随着全套低功耗设计技术的出现，今天的IC设计工程师已经可以用一个32位ARM内核提供各种低功耗模式，效果与8位产品一样甚至更好，而且还能实现快速唤醒。32位处理器更高的处理性能也使MCU可以更快完成任务，从而能够有更多时间处于这些低功耗模式下，这可以进一步降低平均功耗。

低功耗外围设备功能

为实现尽可能低的功耗，优化MCU睡眠状态功耗需要整体的设计方法。除了内核，MCU中的其它模块在待机设备、稳压器、偏置电流发生器，欠压检测比较仪、上电复位电路中会继续消耗电流。几乎在任何情况下，一个简单的折衷法则是：掉电状态越久，就有越多外围设备的功能被完全关断，芯片准备好实现处理任务的唤醒时间就越长。由于应用之间差别很大，MCU设计工程师提供一种灵活的断电状态下的扩展套件就显得很重要了，这样产品设计人员就可以很好地为其项目进行待机功率和响应能力的折衷。

设计一个在nanoamp区获得最深度睡眠状态电流水平的ARM内核只是低能源战略的一个步骤。能够获得32位内核的处理能力为管理能源的利用开辟了新途径。在任何时候，它是MCU供电图下面的区域，随着时间的推移，它表示从电池里取走的电荷(图2)。