带隙基准源电路的基本原理及仿真分析

模拟电路中广泛地包含电压基准(referencevoltage)和电流基准(currentreference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(pTAT)和与温度无关2种。

近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的基极-发射极结可以被工作在弱反型区的晶体管代替产生低温度系数的基准源。文献中提到采用该设计原理的基准源，利用0．13m工艺的低阈值电压NMOS管和衬底调整的pMOS管实现其中的放大器。本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理，通过饱和状态MOS等效电阻对pTAT电流动态反馈补偿，基本实现了基准源的稳定要求。

带隙基准源可以在0～70℃的温度范围内有lOppm／℃的温度系数。由室温下温度系数为-2．2mV／℃的pN结二极管产生电压为VBE。同时也产生一个热电压VT(VT=kT／q)，其与绝对温度(pTAT)成正比，室温下的温度系数为0．085mV／℃，则输出电压为：

将式(1)对温度求导，用VBE和VT的温度系数求出理论上不依赖于温度的K值。为了达到所希望的性能，更详细地分析VBE与温度的关系是必须的。带隙基准就是将负温度系数的电压与正温度系数的电压加权相加来抵消温度对输出电压的影响。

1．1负温度系数电压的产生

双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数，或者说pN结二极管的正向电压具有负温度系数。从文献可得到与温度的关系式：

式中：η为与三极管结构有关的量，其值大约为4；α为与流过三极管的电流有关的一个量，当pTAT电流流过三极管时α为1，当与温度不相关的电流流过三极管时为O；T0为参考温度；VBG为硅的带隙电压。由式(1)可以看出VBE是一个具有负温度系数的电压。

1．2正温度系数电压的产生

两个三极管工作在不同的电流密度下，它们的基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比。如果两个同样的三极管(IS1=IS2)，偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略他们的基极电流，那么：

式中：△VBE表现出正温度系数，而且此温度系数是与温度无关的常量。

1．3一阶温度补偿带隙基准源

将正、负温度系数的电压加权相加，就可以得到一个近似与温度无关的基准电压。常见的一阶可调基准源电路如图1所示。

式中：N为Q2与Q1的发射结面积之比，式(4)中第一项具有负的温度系数，第二项具有正、负温度系数，合理设计R0与R1的比值和N的值，就可以得到在某一温度下的零温度系数的一阶基准电压。式(5)中方括号内是约为1．25V的一阶温度无关基准电压，通过调节R2／R0的比值，可以得到不同大小的基准电压。

图2为本文设计的基准源整体电路图，包含带隙核心电路、反馈补偿电路和启动电路。其中虚框a为带隙核心电路，虚框b为偏置及反馈补偿电路，虚框c为基准源启动电路。

2．1带隙核心电路

图2中，由Mp1～Mp3，MN1，MN2，R1，R2和Q1，Q2组成的电路构成带隙核心电路。输入晶体管的偏置电流由pMOS电流源提供，可通过减小其电流，而不是减小其宽长比来降低负载器件的gm，从而增加其差动放大增益。其中Mp1，Mp2，MN1，MN2均工作在饱和状态，Mp1，Mp2复制了Iout，从而确定了IREF。从本质上讲，IREF被自举到Iout。选择一定的MOS管尺寸，如果忽略衬底沟长长度调制效应，则有Iout=KIREF，因为每个二极管连接的器件都是由一个电流源驱动的，故IREF和Iout与VDD无关，左右两支路永远维持这两个电流值。双极晶体管Q1和Q2工作在不同的电流密度下，它们的基极与发射极间的电压差与绝对温度成正比。将与电源无关的偏置电路与双极晶体管结合，得到带隙核心电路。