SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景

近年来，Si功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。

1、碳化硅功率二极管

碳化硅功率二极管有三种类型：肖特基二极管（SBD）、piN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度。因此，SBD具有低正向电压的优势。SiCSBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到了1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，SiCpiN和SiCJBS二极管由于比Si整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。

2、单极型功率晶体管，碳化硅功率MOSFET器件

硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域，是首选的器件。有文献报道已成功研制出阻断电压10kV的SiCMOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET器件在3kV～5kV领域将占据优势地位。尽管遇到了不少困难，具有较大的电压电流能力的碳化硅MOSFET器件的研发还是取得了显著进展。

另外，有报道介绍，碳化硅MOSFET栅氧层的可靠性已得到明显提高。在350℃条件下有良好的可靠性。这些研究结果表明栅氧层将有希望不再是碳化硅MOSFET的一个显著的问题。

3、碳化硅绝缘栅双极晶体管（SiCBJT、SiCIGBT）和碳化硅晶闸管（SiCThyristor）

最近报道了阻断电压12kV的碳化硅p型IGBT器件，并具有良好的正向电流能力。碳化硅IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。与Si双极型晶体管相比，SiC双极型晶体管具有低20～50倍的开关损耗以及更低的导通压降。SiCBJT主要分为外延发射极和离子注入发射极BJT，典型的电流增益在10-50之间。

关于碳化硅晶闸管，有报道介绍了1平方厘米的晶闸管芯片，阻断电压5kV，在室温下电流100A（电压4.1V），开启和关断时间在几十到几百纳秒。

2014年全球Si功率器件市场规模约150亿美元，其中SiC功率器件为1.2亿美元，不到Si功率器件的1%。SiC器件2014年总市场规模约为1.33亿美元，至2020年市场规模可达4.36亿美元，年复合增长率为22%。

预测，至2025年：碳化硅MOSFET市场规模将会超越3亿美元，成为仅次于碳化硅肖特基二极体的第二大碳化硅离散功率元件；SiCFETs与BJTs产品获得市场信赖，但多应用于专业或小众产品，规模远低于SiCMOSFET市场；结合SiC二极管与SiIGBT所形成的混合式SiC功率模组，2015年该产品市场销售额约为3，800万美元，预计2025年销售额将会突破10亿美元。

1、在商业化市场方面：

（1）昂贵的SiC单晶材料。由于Cree公司技术性垄断，一片高质量的4英寸SiC单晶片的售价约5000美元，然而相应的4英寸Si片售价仅为7美元。如此昂贵的SiC单晶片已经严重阻碍了SiC器件的发展。

（2）Cree公司的技术垄断。由于Cree公司在世界各国申请了许多专利，严重制约了其他公司在SiC领域的发展。

2、在技术方面：

（1）SiC单晶材料虽然在导致SiC功率半导体性能和可靠性下降的致命缺陷微管密度降低和消除方面近年来取得很大进展，但位错缺陷等其他缺陷对元件特性造成的影响仍未解决。

（2）SiC器件可靠性问题。SiCMOSFET器件目前存在两个主要技术难点没有完全突破：低反型层沟道迁移率和高温、高电场下栅氧可靠性。与SiMOSFET相比，体现不出SiCMOSFET的优势。

（3）高温大功率SiC器件封装问题。

电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。晶闸管发展已有近六十年历史，技术成熟也得到广泛应用，可以借鉴它的历史来预测碳化硅功率器件。想当初IGBT兴起时，与晶闸管参数指标相差极大，晶闸管已能做到2-3KV、2-3KA时，IGBT仅仅是电流过百、电压过千。在短短的二十几年间，IGBT从第一代迅速发展到第六代，电压和电流已与晶闸管并驾齐驱，显示出IGBT优越性能。

晶闸管能干的IGBT全能干、IGBT能干的晶闸管干不了，在相当大的一片应用领域里IGBT因其不可替代的优越性能独居鳌头。但是晶闸管仍以其比较高的性价比守住了自己的大片阵地。碳化硅材料技术的进展已使部分碳化硅功率器件用于实际成为可能。但还有许多关键的技术问题需要解决。晶闸管电流从小到大、电压从低到高经历了数十年的风风雨雨，IGBT也有这样的一个不凡的过程。可见SiC功率器件的发展也会有一个漫长的过程。