钜大LARGE | 点击量：1441次 | 2020年02月26日
多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现
隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFET。这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是半桥和全桥。
许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构，如无线基站（远程无线电单元）、电源模块和任何板载隔离型DC-DC转换器。其他应用包括工业领域，如电机驱动器、风扇和暖通空调（HVAC）。这些应用的设计工程师力求降低整体方案的大小或增加输出功率。
安森美半导体的FDMF8811是业界首款100V桥式功率级模块，优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。
与分立方案相比，FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的pCB面积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单（BOM）器件的数量也显着减少，实现供应链和装配的高效。
如果pCB面积不是问题，那FDMF8811可有助于在现有的pCB面积内提高设计的输出功率。例如，这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构，如有源钳位正激、反激式或推拉式，转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。
符合Exic IIB T4 Gc防爆标准
充电温度：0~45℃
-放电温度：-40~+55℃
-40℃最大放电倍率：1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%
FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120V驱动器IC和一个自举二极管到6.0mmx7.5mm的pQFN封装。
通过集成所有的关键动力传动元件，安森美半导体已经能优化该模块的驱动器和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS（ON），从而保持尽可能最高的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大降低电压应力和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性。
采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化，以在最佳能效水平达到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，实在没有理由再使用分立器件！
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