派更半导体公司推出100瓦RF SOI功率限幅器

新一代UltraCMOSpE45361是分立式pIN结二极管功率限幅器的单片替代品，可提供可靠且可重复的接收机保护

RFSOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（peregrine）半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOSpE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员，pE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得极大成功的基础之上，并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一种取代砷化镓（GaAs）分立pIN结二极管功率限幅器的单片式方案，可保护设备不会受到过高RF功率、故意干扰及ESD事件的损害。pE45361能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。

派更半导体公司全球销售副总裁ColinHunt表示：派更半导体的单片功率限幅器为我们的客户提供了一种增强射频功率保护的新奇而强大的方案。我们推出的pE45361基于我们UltraCMOS限幅器的关键射频性能及物料清单（BOM）成本优势，并可提供100瓦功率处理能力，实现较低的限幅阈值，从而保护敏感的低噪声放大器（LNA）。

与pIN结二极管功率限幅器相比，UltraCMOS功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍，线性度（IIp3）改善了10~40dB，静电放电（ESD）保护能力提高了20倍。此外，UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于pIN结二极管功率限幅器。最后，UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚（VCTRL）调节限幅阈值，无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。

与其它UltraCMOS功率限幅器一样，pE45361也设有两种工作模式：功率限幅和功率反射，从而最大程度地提高性能与灵活性。用户可通过可编程管脚VCTRL选择模式。在功率限幅模式下，限幅器对负载不起作用。当输入射频信号功率超过VCTRL设定的限幅阈值时，限幅器将限制输入的射频功率。在极端环境中使用功率反射模式时，限幅器将把大部分入射功率反射回功率源。

过针刺 低温防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆标准

充电温度：0~45℃
-放电温度：-40~+55℃
-40℃最大放电倍率：1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%

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产品特性、封装、价格与供货

pE45361功率限幅器覆盖10MHz~6GHz频段，可为高性能功率限幅应用提供卓越的功率保护功能。该限幅器可处理高达50dBm或100瓦的大脉冲功率，可调限幅阈值为7dBm~13dBm，正向阈值控制为0伏至0.3伏。在6GHz时，pE45361的低插入损耗为0.95dB，高回波损耗为12dB。pE45361的快速响应时间仅为0.6纳秒，迅捷恢复时间为1纳秒，线性度（IIp3）达37dBm。pE45361静电放电功能极强，可达7kVHBM。

量产零件与评估工具现已上市。pE45361采用紧凑型12引脚3x3mmQFN封装，订购1万片的价格为每片4.30美元。