单晶多晶组件CTM差异性介绍

本文重要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，关于硼氧复合损失可以想办法改善，但关于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。

随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压、电流和输出功率得到保证，而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后，组件的功率（实际功率）与所有电池片的功率之和（理论功率）的差值，称为组件封装功率损失，其计算公式为：组件功率损失=（理论功率-实际功率）/理论功率。

通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比（CellToModule简称CTM值）表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。假如CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。

与此相反，假如可以提高CTM值，组件的输出功率的新增会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文重要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。

1、组件CTM影响因素

影响CTM的因素很多，包括：

A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。

B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失（分档，低效片混入）。

D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。

E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。

F.组件生产过程中出现隐裂或碎片。

影响单晶和多晶组件CTM差异的因素重要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗出现的差异重要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大；B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验重要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。

2、实验设计

2.1、实验样品

样品采集自晶澳电池产线，所用硅片厚度为200μm，电阻率为1-3Ω.cm的单晶和多晶电池片各20片，并且20片单晶电池片为同一个功率档位，20片多晶电池片为同一个功率档位。