高频化开关电源的频率提高受限于什么因素

开关电源产品在市场的应用主导下，日趋要求小型、轻量、高效率、低辐射、低成本等特点满足各种电子终端设备，为了满足现在电子终端设备的便携式，必须使开关电源体积小、重量轻的特点，因此，提高开关电源的工作频率，成为设计者越来越关注的问题，然而制约开关电源频率提升的因素是什么呢？

一、开关频率的提高，功率器件的损耗增大

1、开关管限制开关频率的因素有什么？

a、开关速度

MOS管的损耗由开关损耗和驱动损耗组成，如图1所示：开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf。

图1

以FAIRCHILD公司的MOS为例，如表1所示：FDD8880开关时间特性表。

表1

关于这个MOS管，它的极限开关频率为：fs=1/(td(on)+tr+td(off)+tf)Hz=1/(8ns+91ns+38ns+32ns)=5.9MHz，在实际设计中，由于控制开关占空比实现调压，所以开关管的导通与截止不可能瞬间完成，即开关的实际极限开关频率远小于5.9MHz，所以开关管本身的开关速度限制了开关频率提高。

b、开关损耗

开关导通时对应的波形图如图2(A)，开关截止时对应的波形图如图2(B)，可以看到开关管每次导通、截止时开关管VDS电压和流过开关管的电流ID存在交叠的时间(图中黄色阴影位置)，从而造成损耗p1，那么在开关频率fs工作状态下总损耗pS=p1*fs，即开关频率提高时，开关导通与截止的次数越多，损耗也越大。

图2

总结：开关速度、开关损耗是限制开关频率的两个因素。

1、变压器的铁损限制了频率的提高

变压器的铁损主由变压器涡流损耗出现，如图3所示，给线圈加载高频电流时，在导体内和导体外出现了变化的磁场垂直于电流方向(图中1→2→3和4→5→6)。根据电磁感应定律，变化的磁场会在导体内部出现感应电动势，此电动势在导体内整个长度方向(L面和N面)出现涡流(a→b→c→a和d→e→f→d)，则主电流和涡流在导体表面加强，电流趋于表面，那么，导线的有效交流截面积减少，导致导体交流电阻(涡流损耗系数)增大，损耗加大。

图3

如图4所示，变压器铁损是和开关频率的kf次方成正比，又与磁性温度的限制有关，所以随着开关频率的提高，高频电流在线圈中流通出现严重的高频效应，从而降低了变压器的转换效率，导致变压器温升高，从而限制开关频率提高。

图4

二、开关频率的提高，EMI设计、pCB布局难度增大

假设上述的功率器件损耗解决了，真正做到高频还要解决一系列工程问题，因为在高频下，电感已经不是我们熟悉的电感，电容也不是我们已知的电容了，所有的寄生参数都会出现相应的寄生效应，严重影响电源的性能，如变压器原副边的寄生电容、变压器漏感，pCB布线间的寄生电感和寄生电容，会造成一系列电压电流波形振荡和EMI问题，同时对开关管的电压应力也是一个考验。

要提高开关电源产品的功率密度，首先考虑的是提高其开关频率，能有效减小变压器、滤波电感、电容的体积，但面对的是由开关频率引起的损耗，而导致温升散热设计难，频率的提高也会导致驱动、EMI等一系列工程问题。