使用硅光电池时需注意的事项

使用硅光电池时注意以下事项

硅光电池是一种将光能直接转化为电能的半导体器件。它的结构很简单,核心部分是一个大面积的pn结,将一个透明的玻璃外壳点接触型二极管和一个微安计成闭合回路,当管核心(pn结二极管灯),你会看到他的手转移微安表,显示在洋流,这种现象称为光生v的效果。硅光电池的PN结面积比二极管大得多，因此光出现的电动势和电流也大得多。使用硅光电池时注意以下事项:

①硅光电池的输出特性与负载有关。在一定光照条件下，当负载很小时，硅光电池的输出电流趋近于短路电流;而在负载很小时，输出电压则趋于开路电压。因此，在使用硅光电池时，只有确定好负载电阻为某一数值时，才能获得最大功率输出。

②硅光电池可以串、并联使用，以满足所要的电压或电流值。

③硅光电池的表面有一层抗反射膜，使用时应防止损伤其表面，如表面出现污垢，可用酒精棉球轻轻擦拭。

④使用时，应使硅光电池不受外界环境干扰，以免出现误信号。

晶体硅

晶体硅光电池有单晶硅和多晶硅两种，以P型(或n型)硅衬底，通过磷(或硼)扩散形成Pn结而生产，生产技术成熟，是光伏市场的主导产品。埋藏电极,表面钝化,加剧了陷阱,密集的网格技术,优化电极和电极接触,等采用提高载体材料的收集效率,优化anti-reflection电影,凹凸表面,高反射电极和其他方法,光电转换效率大大提高。单晶硅光电管面积是有限的,更大的晶圆的Φ10到20厘米,年产量46兆瓦/能力。目前的重要任务是继续扩大行业规模，发展彩带硅光电池技术，提高材料的利用率。国际公认的AM1.5条件下的最高效率为24%，AM0条件下的高质量效率约为13.5?18%，AM1条件下的地面量产11?18%。用定向凝固法制备的多晶硅锭代替单晶硅可以降低成本，但降低了生产效率。对银浆、铝浆的前、后电极丝印、切割、研磨、铸造工艺进行优化，进一步降低成本，提高效率。大晶粒多晶硅光电池的转换效率可达18.6%。

非晶硅

非晶硅光电池是通过高频辉光放电分解和沉积硅烷气体而形成的。由于分解沉积温度较低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料板上沉积约1m厚的薄膜，易于大面积转换(0.5m×1.0m)，成本低，结构上多采用p。为了提高效率和稳定性，有时将其分为三层，如pIn，或插入一些过渡层。工业生产持续上升，年生产量力45MW/a，投产10MW生产线。全球市场月耗电量约为1000万块，在薄膜电池领域排名第一。组装成型a-si光电池组的发展，激光切割有效面积90%以上，小面积转换效率提高到14.6%，大面积转换效率为8-10%，层合结构最大效率为21%。发展的趋势是改善薄膜的特性，精确设计光伏电池的结构，控制每一层的厚度，改善各层之间的界面，以达到高效率和高稳定性。

多晶硅

P-si(多晶硅，包括微晶)光电池没有光降解用途，当材料质量下降时光电池也不会受到影响。采用液相外延法在单晶硅衬底上制备的p-si光电池的转换效率为15.3%，通过细化衬底和增强调光工艺可将转换效率提高到23.7%。采用CVD法制备的p-si光电池的转换效率约为12.6~17.3%。使用廉价衬底的P-si薄膜生长方法包括PECVD法和热线法，或a-si:H材料薄膜的后处理以实现低温固相结晶，可生产效率分别为9.8%和9.2%的非降解电池。微晶硅薄膜的生长符合a-si工艺，光电性能好，稳定性好。大面积的低温p-si膜和-si构成层状电池结构，是提高A-s光电池稳定性和转换效率，充分利用太阳光谱的重要途径。理论计算表明，效率可达28%以上，这将导致硅基薄膜光电池性能的突破。铜、铟、硒光电池