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硅光电池有哪几种特性?

钜大LARGE  |  点击量:3540次  |  2021年01月16日  

硅光电池特性


光照特性


不同强度的光照射在光电池上,光电池有不同的短路电流Isc和开路电在Voc,即短路电流在很宽的光强范围内,与光强成线性关系,而开路电压是非线性的,而且,在当光强较小,约20mW/cm2时,短路电压就趋于饱和。因此,要想用光电池来测量或控制光的强弱,应当用光电池的短路电流特性。


硅光电池的光谱特性:


显而易见,不同的光电池,光谱曲线峰值的位置不同,例如硅光电池峰值波长在0.8μm左右,硒光电池在0.54μm左右。硅光电池的光谱范围宽,在0.45~1.1μm之间,硒光电池的光谱范围在0.34~0.75μm之间,只对可见光敏感。


值得注意的是,光电池的光谱曲线形状,复盖范围,不仅与光电池的材料有关,还与制造工艺有关,而且还随着环境温度的变化而变化。


光电池的温度特性


光开路电压随温度的升高而快速下降,短流电流随温度升高而缓缓新增。所以,用光电池作传感器制作的测量仪器,即使采用IscEv特性,在被测参量恒定不变时,仪器的读数也会随环境温度的变化而漂移,所以,仪器必须采用相应的温度补偿措施。


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