钜大LARGE | 点击量：1708次 | 2021年04月13日
家里的废旧手机和电池可以乱丢吗？到底该如何处理？
我们现在之所以能生活在信息化时代，要得益于大量的电子产品的出现，而且就拿手机来说，电子产品的更新换代是非常迅速的，而且电子产品的使用寿命并不是很长。
手机发烧友的换机速度更是如此，半年就换一部手机的人比比皆是，况且很多人都喜欢拥有好几部手机，有的手机是平时用的，还有的手机是当做备用机用的。
电脑也是从无到有，现在更是相当普及了。这些都是好事，可是万物都是福祸相依的，大家有没有想过，这么多的电子产品使用到头了，就变成了无数的电子垃圾，这些垃圾该怎么办呢？
现在很多的地方都有二手回收，提高产品的重复使用率，即使这样也是杯水车薪的，能重复回收使用的还不到电子产品的一半。
有些电子垃圾是完全报废了的，这些都是塑料和金属的制品。可是，麻烦远远不止这些，自从电瓶车普及以后，电池产品（包括电瓶）的使用量也是节节攀升，私家车也是呈倍的上升！
符合Exic IIB T4 Gc防爆标准
充电温度：0~45℃
-放电温度：-40~+55℃
-40℃最大放电倍率：1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%
这些东西从厂里生产出来多少，就注定会变成多少垃圾
家里还储藏有很多废弃电池，为的是响应环保，舍不得丢掉，可是又没有人回收它们，在家里又看着恶心！
于是乎在我国省广东省出现了一个贵屿镇，当地人看到了电子垃圾回收的巨大利润，在回收技术上不成型的时候，牺牲当地环境，大量回收电子垃圾并且进行拆解。
尽管如此，贵屿镇还是付出了惨重的环境代价，汕头大学医学院曾对贵屿进行的一份健康抽查表明：对165名1～6岁儿童进行严格体检测试后，发现所有儿童均血铅超标中毒，当地土壤中的铅浓度是美国环保部门认定土壤污染危险临界值的212倍！
电子垃圾和电池的回收技术完全成熟还有很长的路要走，可是这么多年的研究都进展缓慢，真的是令人堪忧的事情，我们的子孙还能有一个干净的环境吗？1.长时间对锂离子电池充电,假如是用的原装正品的充电器或座充,确实是不会有损害的.这个不是因为保护线路的功劳,而是靠充电线路的严格精确的设计来保证的.
2.有保护线路的存在,并不能完全的防止锂离子电池的过充的发生,保护线路只有在电池过充的时候才会起防止进一步过充的用途.
RICOH推出的适合4.2V锂离子电池的保护芯片,其过充保护电压是4.35V+/-0.05V,日本精工SIEKO推出的8241系列中适合4.2V锂离子电池的保护芯片,其过充保护电压是4.275V+/-0.025V
而锂离子电池充饱的时候,其电池电压应该落在4.20V+/-0.04V之间,并没有触发保护线路动作.之所以厂家说明长时间充电不会过充是因为手机的充电管理确保在电池电压已经到达4.20V以后不会继续充电.而是保持监视状态.
等到了过充保护的电压,比如4.275V,这个锂离子电池已经是过充了,此时保护线路才被切断.防止进一步过充的危险.
讲完了这个认识误区,下面带大家认识一下手机锂离子电池的内部机构.重要谈一下锂离子的保护线路的功能及其工作原理.有兴趣的网友可以往下看:
锂离子保护线路全解剖
一般用户接触到手机锂离子电池,在外面看到的除了电池外壳,还有就是几个五金触片了,如图中"电池正极,电池负极"就是的电池正负极输出.
而实际真正供电的源泉是电池塑料壳里面的锂离子电池芯,但是由于锂离子电芯的"娇嫩"的特性,比如过充和过放,大电流放电,短路等非常规动作都会对锂离子电芯造成极大的伤害.所以保护线路的功能就是在上述非常规动作发生时及时的切断回路.保护锂离子电芯.而这些保护动作就是图中的保护IC来判断,由它来控制一对Mosfet场效应管来导通和切断主供电回路,对锂离子电芯进行保护.
市面上常用的这种保护IC的生产厂商有SEIKO精工,RICOH理光,Motorala摩托罗拉半导体等.
以精工的S8241系列芯片来具体介绍各项保护功能.
众所周知,以恒压充电限制电压来划分,锂离子电池有4.1V恒压充电和4.2V恒压充电两种类型.现在4.1V的版本已经很少,绝大多数是4.2V的恒压充电类型的.下面的数据就只针对4.2V恒压充电的锂离子电池来讨论.
保护IC+Mosfet可以实现的功能如下(四大保护):
1.过充保护,当电池芯的电压超过设定值时,由保护IC切断Mosfet管.等电芯电压回归到允许的电压是,重新恢复Mosfet管的导通.
过充检测电压:4.275V+/-0.025V,电芯电压一超过这个值,就触发过充保护
过充释放电压:4.175V+/-0.030V,处于过充保护的电芯电压只有降到这个值时才会停止保护.
过充保护延时:1秒.当电压持续超过过充检测电压1秒以上才会触发过充保护,这个是为了防止误判和误操作而设置的.
2.过放保护,当电池芯的电压降低得超过设定值时,由保护IC切断Mosfet管.等电芯电压回归到允许的电压时,重新恢复Mosfet管的导通.
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