钜大LARGE | 点击量：1170次 | 2011年05月19日
全球首例宽带隙半导体应用于太阳能电池技术在我国研发成功
日前，厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组研发成功一种将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用于关键结构的新型太阳能储能电池，英国皇家化学学会在最新一期的《材料化学》杂志上发表了这一成果，在国际上引起广泛关注。
新型太阳能电池的核心技术是在采用相对于硅寿命更长的新材料时形成光生电流并提高宽带隙半导体的吸光率。
对此，康俊勇课题组通过材料和工艺改进来达成目的：
1、选用两种宽带隙半导体材料——氧化锌和硒化锌作为太阳能电池的材料，形成类似于PN结的带阶，让电流“流动”起来。
2、通过控制条件，让两种材料实现共格生长，首次形成新型量子结构，大幅度降低了宽带隙半导体的有效带隙，增加了吸收太阳光的范围。同时，将叠层状的薄膜形式改为一根一根的同轴线形式，每根仅有200纳米。这样一来，吸光面积大幅度增加，吸光率也随之提高。
该技术在国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。
新型太阳能电池的核心技术是在采用相对于硅寿命更长的新材料时形成光生电流并提高宽带隙半导体的吸光率。
对此，康俊勇课题组通过材料和工艺改进来达成目的：
1、选用两种宽带隙半导体材料——氧化锌和硒化锌作为太阳能电池的材料，形成类似于PN结的带阶，让电流“流动”起来。
2、通过控制条件，让两种材料实现共格生长，首次形成新型量子结构，大幅度降低了宽带隙半导体的有效带隙，增加了吸收太阳光的范围。同时，将叠层状的薄膜形式改为一根一根的同轴线形式，每根仅有200纳米。这样一来，吸光面积大幅度增加，吸光率也随之提高。
该技术在国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。
下一篇：铅酸蓄电池回收行业亟需规范
