业界最高密度、无需电池的非易失性RAM系统

赛普拉斯半导体公司的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度、最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统（NVS）的最新CApRI系列可供应介于256megabytes(2048megabits)和2gigabytes(16gigabits)之间的存储密度。这一便于使用的交钥匙系列产品使用DDR2SDRAM接口供应最高达800MHz的等同于DRAM的峰值传输速率。CApRI系列能够使很多有价值的系统功能成为可能，例如零待机功耗、抗断电、快速开机/恢复、写缓冲/粘贴、数据记录、服务/维护处理、日志、统一存储器架构，以及UpS替代/冗余。该产品可在保存重要任务数据的同时供应上述所有功能。

诸如存储、网络、通信、工业计算和控制、医疗设备、游戏系统、ATM和pOS终端、打印机、扫描仪、复印机、汽车和系统等应用而言，AGIGARAM都是理想的选择。

AGIGA技术公司的CEORonSartore说：“CApRI系列把AGIGARAM独特的高速、高密度非易失性RAM技术带进了网络、存储、工业和嵌入式市场的高端应用。我们灵活的CApRI产品具有多种尺寸和主接口，拥有快速入市能力和高性能。”

截止到目前，高速非易失性存储器的选择很有限，特别是对RAM的性能有所要求时。因为采用了赛普拉斯的nvSRAM，AGIGARAM系统将非易失性解决方法升级扩展到更大的密度。仅次于此的高密度方法是电池供电的存储器，它也具有高速度，但有很多问题，例如有害材料的问题、新增设计复杂性、充电时间长、有限的操作次数，以及总体拥有成本较高。

由于创新性地采用了无需电池的子系统，以及采用高速同步DRAM、NAND闪存、智能电源管理和一个特有的系统控制器，AGIGARAM系统解决了这些问题。掉电时，它利用存储在供电子系统中的能量自动将数据存储到NAND闪存中。供电恢复后，数据传输回SDRAM。这一功能可用于应对由于掉电而出现的数据丢失、快速启动恢复、写缓冲和粘贴、数据记录和日志，以及服务和维护处理。

过针刺 低温防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆标准

充电温度：0~45℃
-放电温度：-40~+55℃
-40℃最大放电倍率：1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%

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CApRI产品功能

目标市场为高端存储、工业、网络和通信应用：

*256-MB,512-MB,1-GB和2-GB密度*64/72-bitDDR2SDRAM接口，可实现533MHz,667MHz和800MHz的高速率*6,400MB/sec峰值传输*I2C命令/控制总线*尺寸：244-pinmini-RDIMM,240-pinRDIMM以及用户含义尺寸*0-60°C工作温度，可供应额外工作温度范围*5年和10年工作寿命选择*集成无电池电源包装