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2019年中国新能源汽车IGBT行业市场调查报告

钜大LARGE  |  点击量:1110次  |  2019年01月07日  

2018年1-10月,中国新能源汽车产量80.23万辆,同比增长70.56%。新能源汽车产业的发展直接带动了IGBT产业的快速发展。


IGBT模块作为新能源汽车电机电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源整车成本的10%,占到充电桩成本的20%。新能源汽车及充电桩市场正进入爆发期,IGBT作为其核心器件也将迎来黄金发展期,我们预计到2020年,新能源汽车和充电桩市场将带动上百亿IGBT模块的需求。


IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表型产品,具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,可以说是新能源汽车的核心技术之一,IGBT的好坏直接影响新能源汽车功率的释放速度。


新能源汽车IGBT的作用是交流电和直流电的转换,同时还承担电压的高低转换的功能。当外界充交流电时,需要通过IGBT转换成直流电然后充给电池,同时要把220V电压转换成适当的电压以后才能给电池组充电;电池放电时,通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电,同时起到变频和变压的作用。


欧美和日本企业凭借着产品质量好、技术领先,在IGBT市场中占据绝对优势地位,也是我国新能源汽车IGBT市场的主要供应商,目前我国市场需求的新能源汽车IGBT电子产品90%左右需要进口。

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符合Exic IIB T4 Gc防爆标准

充电温度:0~45℃
-放电温度:-40~+55℃
-40℃最大放电倍率:1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%

新能源汽车中IGBT等大功率电力电子器件不仅对性能要求高,同时对可靠性的要求更为严苛,期望寿命一般为二十年以上,功率循环上万次甚至百万次以上,而且需要在不同的环境和气候下工作。目前在新能源汽车IGBT行业内国产芯片技术水平与国外差距较大,竞争力较弱,处于初始发展阶段。


从产业链来看,IGBT是一个高精尖技术的行业,产业链核心包括芯片设计、晶圆制造、封装、测试、光刻机制造等。其中晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,建造一个生产300毫米直径硅锭的制造厂大约需要35亿美元,对于资本和技术的要求非常高。


光刻机是芯片制造的核心设备之一,用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板,国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。


IGBT国产化趋势明确,爆发时点已到。IGBT芯片进口比例超九成,市场替代空间大,国内已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链。


近几年来随着市场的刺激以及国家政策的扶持,国内出现了一批IGBT方面的公司并取得了令人欣喜的成绩,例如中车时代电气、比亚迪微电子、华微电子。在终端需求的带动下,国内的汽车级IGBT产业会逐渐发展强大起来。

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标称电压:28.8V
标称容量:34.3Ah
电池尺寸:(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
应用领域:勘探测绘、无人设备

在电动车市场需求快速增长的带动下,高工产研电动车研究所(GGII)认为,新能源汽车IGBT行业将具有很大的投资机会。

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