太阳能部分多晶硅材料小知识及技术要求

太阳能部分多晶硅材料小知识及技术要求

A、太阳能级多晶硅料

技术要求：

总体要求：硅含量99.9999%

含硼量：<0.20ppba

含磷量：<0.90ppba

含碳量：<1.00ppba

金属含量：<30.00ppba

金属表面含量：<30.00ppba

尺寸大小要求：25mm---250mm

多晶种类：p型

电阻率：>0.50Ohmcm

B、破碎半导体级硅片

技术要求：

半导体级碎硅片

片子形状为圆弧形碎片

硅片厚度>=400um

型号为p型

电阻率：>0.50Ohmcm

C、小多晶硅

技术要求

1.型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于5*1017/cm3

2.块状为4mm

3.不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料

D、直拉多晶硅

技术要求

1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为p型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017cm3

2.块状小于30mm

3.不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料

E、区熔头尾料

技术要求

1.N型，电阻率大于50chmom少数载流子寿命大于100μm

2.块状大于30mm

3.区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。

4.最好为免洗料

F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料

1.N型，电阻率大于10ohmom

2.p型，电阻率大于0.5ohmom

3.块状大于30mm，片厚大于0.5mm

4.直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物