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单晶硅的制备

钜大LARGE  |  点击量:2362次  |  2019年08月19日  

1)区域熔炼法

以高纯多晶硅为原料,制成棒状,并将多晶硅棒垂直固定,在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的单晶硅,作为单晶生长的的籽晶,其晶相一般为<111>或<100>,然后在真空或惰性气体下,利用高频感应线圈加热多晶棒,使多晶硅棒部分区域形成熔区,并依靠熔区的表面张力保持多晶硅棒的平衡和晶体生长的顺利进行。晶体生长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开始,多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的运动,熔区从下端沿着多晶硅棒缓慢向上端移动,使多晶硅逐步转变为单晶硅。


2)直拉法


直拉单晶硅生产工艺流程图


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