浅谈CP项目中的接触电阻测试技术

本文准备谈谈CRES-ContactResistance，接触电的相关技术。

接触电阻的形式可分为三类：点接触、线接触和面接触。接触形式对收缩电阻Ｒｓ的影响主要表现在接触点的数目上。一般情况下，面接触的接触点数ｎ最大而Ｒｓ最小；点接触则ｎ最小，Ｒｓ最大；线接触则介于两者之间。

之前在做Cp项目时，总是发现一些对电压/电流值敏感的测试项yieldloss比预期的高，比如VOH，VOL和Vddmin的测量等等。手动扎到这些die上，有时候直接就pass了，有时候虽然没有一跑就pass，但是稍微增加overdrive，也是能够pass的。当时跟产线pE讨论，到底是什么影响了测试结果？pE给的回答是接触电阻。

Cres发生在两个接触的物体之间，会导致电或热的损耗增加。

Cres主要由2部分组成：

metalliccontact，金属接触，也称作locallizedphysicalmechanisms

filmresistance，薄膜电阻，也称作non-conducTIvecontribuTIon

currentflow仅能从中间金属接触的部分通过。

在量产测试时，probeneedle每次touchdown的时候，都会刮擦diepad，在摩擦力和电磁场的作用下，会有一些沾污。由于非导电材料（例如：碎片、残渣和氧化等）的积累，量产中的Cres变化，主要是由filmresistance导致的。

其他影响Cres的原因还有：

针尖的形状变化导致的实际接触面积的变化。（实际接触面积与针尖形状、压力、和表面处理有关）

针尖的表面平整度变化，导致的接触面积的变化。（越光滑的表面，接触面积越大，Cres越低。越粗糙的表面，越易沾污。）

Cp测试的温度影响氧化过程，以及碎片的构成。

如果任由Cres上升而不采取措施，会导致良率的明显下降。ref［1］

所以在量产过程中，往往会进行定期的needleclean来保证良率。

ref［1］

那么Cres到底是怎么影响测试结果的呢？之前我恰好抓了张波形图，这里给大家参考。第一张图是没有清针的时候画出来的波形图

没有清针的波形图，可以看到电压不稳定

下面这张是清针后的波形图：

清针后的波形图，可以看到波形规整了很多

我想，通过上面4张图，大家可以清晰地感受到，Cres对于Cp测试看得到的巨大影响了。

这里再谈谈清针。清针虽然可以帮我们把良率救回来，但是也有一些问题。

早期的清针方法，往往是用磨针的方式。把针尖上的沾污磨掉。但这样也会把针尖越磨越短，这样实际接触的点的面积就会越来越大。当probemark的面积大过一定范围时，会导致封装的可行性和可靠性变差。而在offlinemaintenance的时候，有时候会用溶液etch针尖，当把针尖etch得太细的时候，会导致touchdown时，局部压强过大，可能会刺穿Alpad，损坏下方的电路。

ref［2］probeMark的面积与封装失效（liftball起球）的对应关系

ref［3］Touchdown对于pad下面的电路的影响

目前常用的方法是，Semi-abrasive半研磨性的清针和抛光。把针尖在类似于胶带的材料上扎一下，把沾污粘下来的方式。这样可以把对针尖的磨损降低，延长probecard的使用寿命。

ref［3］

在Cp测试厂，通常会根据probecard和产品的特性，定义一个cleaningrecipe。简单来说就是测几百颗，清一次针这样的。但是其实任何清针方式，都会对针尖造成损伤。

作为一个测试工程师，其实是有办法协助测试厂，改进清针流程的。把按时清针，变成按需清针。

因为清针的目的，就是为了降低Cres。而Cres是可以通过ATE测出来的。这样只要Cres仍然在我们要求的范围内，就可以不用清针，继续测试。我们可以用测Open/Short的方式，给pad加电流，测电压。去掉二极管的管压降，即可得到接触电阻。

如果量产时能够通过监控接触电阻来按需清针，则可以进一步地延长probecard的寿命。