低温18650 3500
无磁低温18650 2200
过针刺低温18650 2200
低温磷酸3.2V 20Ah
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如何提高电池逆变电路的效率及维护?

钜大LARGE  |  点击量:1189次  |  2019年09月11日  

为了防止灯管早期发黑,本电路中采用如下技术措施:

在变压器初级绕组的中心处,插入恒流电感L1,以保持每个周期中流过的电流不会突变,有效地抑制了逆变电路中的过冲电流,对灯管而言,减小了灯管瞬时的过功率现象。叉车蓄电池

在变压器初级绕组上并联电容C3,组成并联谐振槽路,有效地吸收了初级绕组上的尖峰电压,对灯管而言,防止电极材料过量消耗。

增设阴极加热绕组NK,可改进低温、低电压时的启动特性,同时也可减小灯管所需的着火电压。

为了提高逆变电路的效率,变压器磁化电流Im与集电极负载电流IR之比应当小,然而,减小变压器磁化电流就要求初级绕组具有较高的电感量,这将使变压器的体积增大。因此,必须适当兼顾逆变电路的效率和变压器的体积。通常把磁化电流Im控制在负荷电流iR的15%左右。在设计时,要精确选定HS值是很困难的,这是因为HS值既与磁性材料的性质有关,又与铁芯装配的方法有关。最好是用实验的方法来测定HS值,再依据逆变电路的效率,来确定这种材料的HS值。要反复测量几次,力求取得最佳值。反馈绕组的匝数Nb由下式给出:Nb=NPUbUi式中,Ub是所需的基极绕组上的电压,在计算中,先设定Ub=114V左右,然后根据功率管的温升,作适当的修正,使Q1、Q2的温升最低。对不同的晶体管,Ub取值亦不尽相同。

选择晶体管选择晶体管的基本原则是,开关速度要快,饱和压降要小,集电极电流要大。

此外,功率晶体管的功率容量和耐压要求也是很重要的。晶体管的C-E结反向击穿电压BVCEO3Ui晶体管集电极的最大电流ICM3Icpk晶体管的额定功耗PCM23P0除了上述对功率晶体管的要求外,另一个重要的指标就是二次击穿耐量。尤其是基极在反向偏置下关断的功率晶体管更容易受二次击穿的危害,必须引起注意。

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