下一代同步整流控制技术增强电源运行参数

在当今的高性能的电源系统设计中，确保可靠性至关重要，因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流（寄生效应引起的）导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响，还可能会导致运行故障。

为了防止这种情况的发生，必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在，从而减轻体二极管导通的不良影响。通过这种方法，可以调整同步整流器关断点，以保持一个恒定的死区时间，而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求（由于散热的减少）。

得益于专有的自适应死区时间控制算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC，能够充分解决上述挑战。同时，它可以帮助工程师最大化电源能效，并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。

该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构，最大限度地减少同步整流MOSFET的体二极管传导。它通过使用一个独特的控制方法，消除了电流反向的隐患，还可以避免同步整流误触发。通过两个感测输入，可以准确地确定MOSFET两端的漏源电压，从而考虑到关于次级绕组的任何不对称或不良耦合。如果经证实死区时间太长，那么偏置电压相应降低。从而提高MOSFET的电压阈值，继而使同步整流器的导通时间延长（因此缩短相关的死区时间）。反之，如果死区时间太短，则降低MOSFET的电压阈值，从而抑制同步整流器的导通期。指定FAN6248控制器能够提高系统的电源能效，和实现在整个负载范围内的稳定运行（无电流反向的风险）。