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稳健的汽车40V功率MOSFET提高汽车安全性

钜大LARGE  |  点击量:734次  |  2020年04月01日  

意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS(电动助力转向系统)和EPB(电子驻车制动系统)等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。这些机电系统必须符合汽车AECQ101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。


1.前言


EPS和EPB系统均由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。电动伺服单元将电机的旋转运动传给机械齿轮单元,进行扭矩放大,执行机械动作。电动伺服单元是用功率MOSFET实现的两相或三相逆变器,如图1所示。


图1.EPS和EPB系统的伺服单元拓扑


图中负载是一台电机,通常是永磁无刷直流电机(BLDC),由一个12V电池进行供电。


2.汽车对功率MOSFET的要求


EPS和EPB逆变器所用的40V功率MOSFET,要想符合AECQ101汽车认证标准,必须满足以下所有要求:


1.开关损耗和导通损耗非常低


2.输出电流大


3.Ciss/Crss比值小,EMI抗扰性强


4.优异的耐雪崩性能


5.出色的过流和短路保护


6.热管理和散热效率高


7.采用稳定的SMD封装


8.抗负载突降和ESD能力优异


2.1.AECQ101功率MOSFET的参数测量值


我们选择一些符合EPS和EPB系统要求的竞品,与意法半导体的40V汽车功率MOSFET进行对比实验。表1列出了意法半导体的STL285N4F7AG汽车40V功率MOSFET和同级竞品的主要参数测量值。


表1.STL285N4F7AG与竞品参数测量值比较表


由于两个安全系统的工作电压都是在12V-13.5V区间,功率MOSFET的标称电压是40V,因此,只要确保击穿电压(BVdss)接近46V,就能正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。为抑特种通期间的压差,静态导通电阻(RDSon)最好低于1m。只有本征电容和Rg都很小,开关损耗才能降至最低,从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数,有助于防止米勒效应导致的任何异常导通,并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率,配合体-漏二极管Qrr反向恢复电荷和反向恢复软度,可显着降低器件对EMI的敏感度。


为满足低耗散功率和电磁干扰的要求,STL285N4F7AG优化了电容比值(Crss/Ciss)。图2是STL285N4F7AG与竞品的电容比值比较图。


图2.STL285N4F7AG与竞品的Crss/Ciss电容比测量值比较


此外,图3所示是意法半导体的STL285N4F7AG的体-漏二极管与竞品的性能测量值比较图。


图3:STL285N4F7AG与竞品的体-漏二极管性能测量值比较


测量参数表明,对于一个固定的di/dt值,STL285N4F7AG的反向恢复电荷(Qrr)和恢复时间(Trr)都小于竞品,这个特性的好处归纳如下:


-低Qrr可降低逆变器在开启时的动态损耗,并优化功率级的EMI特性


-更好的Trr可改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值。在续流期间电流流过体漏二极管时,Trr是导致电桥故障的常见主要原因。


因此,dv/dt是保证闩锁效应耐受能力的重要参数,测量结果显示,意法半导体产品的dv/dt性能(图4)优于竞品(图5)。


图4.STL285N4F7AG的dv/dtt测量值


图5.竞品的dv/dt测量值


2.2.短路实验性能测试


我们通过一个短路实验来测量、验证意法半导体40V汽车功率MOSFET在汽车安全应用中的稳定性。电子系统可能因各种原因而发生短路,例如,存在湿气、缺乏绝缘保护、电气部件意外接触和电压过高。因为短路通常是意外造成的,所以短路很少是永久的,一般持续几微秒。在短路期间,整个系统,特别是功率级必须承受多个高电流事件。我们用STL285N4F7AG和测试板做了一个短路实验,测量结果如图6所示:


图6:测试板


按照以下步骤完成实验:


1)用曲线测量仪预先测试主要电气参数


2)测试板加热至135C,并施加两次10s的短路脉冲,间隔小于1s。限流器保护功能激活做一次实验,不激活做一次实验。


3)对器件进行去焊处理,并再次测量主要电气参数,检查功率MOSFET的完整性或性能衰减。


测量结果如图7所示。


图7:STL285N4F7AG短路测试


在短路事件过程中测量到的实际电流值是在2000A范围内,脉冲持续时间为10s。我们进行了十次测试,Tperiod=5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路冲击,未发生任何故障;但当电流值大于2400A时,出现故障(图8)。


图8.STL285N4F7AG失效时的电流测量值(Id2400A)


3.结论


实验数据表明,意法半导体最先进的AEC-Q10140V功率MOSFET可轻松符合汽车安全系统的严格要求。因此,意法半导体的新沟槽N沟道器件是汽车EPS和EPB系统的最佳选择。


4.参考文献


[1]F.FrisinaDispositividiPotenzaasemiconduttore.EdizioneDELFAROPrimaEdizioneGiugno2013


[2]B.JayantBaliga,FundamentalsofPowerSemiconductorDevices,SpringerScience,2008


[3]N.Mohan,T.M.Undeland,W.P.Robbins:PowerElectronicsConverters,ApplicationsandDesign2ndeditionJ.WileyampSonsNY1995


[4]B.Murari,F.Berrotti,G.A.VignolaSmartPowerICs:TechnologiesandApplications2ndEdition


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