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功率MOSFET应用于开关电源注意的问题

钜大LARGE  |  点击量:1086次  |  2020年05月18日  

功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。


(1)栅极电路的阻抗非常高,易翼静电损坏。


(2)直流输入阻抗高,但输入容量大,高频时输入阻抗低,因此,要降低驱动电路阻抗。


(3)并联工作时容易出现高频振荡。


(4)导通时电流冲击大,易出现过电流。


(5)很多情况下,不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。


(6)寄生二极管的反向恢复时间长,很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。


(7)开关速度快而出现噪声,容易使驱动电路误动作,特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时,易发生这种故障。


(8)漏极-栅极间电容极大,漏极电压变化容易影响输入。


(9)加有负反馈,热稳定性也比双极型晶体管好,但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。


(10)理论上没有电流集中而出现二次击穿,但寄生晶体管因du/dt受到损坏,从而场效应晶体管也受到损坏。


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