采用DC-DC非隔离式负载点(POL)电源模块来简化设计

采用FpGA、DSp或微处理器设计是设计的关键部分，也最花费时间。系统级设计人员可以通过将重要精力集中于系统设计而受益匪浅，他们还要解决诸如产品上市时间、实现小型化尺寸的问题。使用最新一代DC-DC非隔离式负载点(pOL)电源模块可以为他们带来重要优势。

这些模块具有高度的集成和密度，先进的封装技术可以发挥高功率密度的优势，整体性能十分可靠——甚至可以满足最苛刻的电源管理要求。使用电源模块意味着要最少的外部元件，因此设计人员可以迅速实现复杂的电源管理设计，并专注于核心设计。即使是在设计周期的中后期电源需求出现了变化时，电源模块也可以应对自如。

在介绍电源模块优点的具体细节之前，让我们来看看设计方面的问题。在采用一个分立式(非模块)解决方法时，设计师必须考虑几个问题。所有的问题都可能延缓设计进程，拖延产品推向市场的时间。例如，选择合适的pWM控制器、FET驱动器、功率FET、电感器，以满足代表第一阶段的具体电源要求，这通常是一个漫长的分立式电源设计周期。在选定了这些重要功率器件之后，设计人员必须开发一个补偿电路，其依据是将要在一个给定的系统中使用的各种负载的输出电压规格。这可能非常单调和乏味，还要花很多时间——往往还要返工。除了补偿电路设计，还要选择功率级、驱动器、功率FET和电感器，以满足功率效率的目标。这可能要根据不同的应用需求进行反复的元件选择。

在设计分立式电源之后，布板工作以及噪声和散热要求方面的问题新增了设计周期的复杂性。总之，这是一个繁琐的过程。

但是像IntersilDC-DCpOLISL8200M这样的电源模块就可以改变这个过程，因为它集成了pWM控制器、驱动器、功率FET、电感器、支持分立元件的IC，还有优化的补偿电路。所有这些都集成在一个155mmQFN封装内。该电源可以根据其电流共享架构的输出功率要求进行扩展，该模块采用耐热增强型封装，高度仅为2.2mm，所以它可以安装在pCB的背面。

当顶层pCB空间存在问题时，ISL8200M的2.2mm低高度QFN封装就成为了一种优势。低高度封装将满足大多数pCB背面的间隙要求，尤其是因为QFN封装不要散热器或气流，可以覆盖大部分工业温度范围的全输出功率范围。利用QFN封装底部非常低的2C/W热阻的θJ/C值，大部分的热量都可以通过封装底部和安全通孔消散掉，并下行至pCB的接地层。这是因为功率MOSFET和电感器等内部高功率耗散元件直接焊接到了这些大型导电片(conducTIvepad)上，从而实现了从模块到pCB的有效传热，以提高热效率，最终可以将一个最高360W负载点电源解决方法安装在pCB的背面。在要一个复杂的电源设计和顶层pCB空间有限时，这是非常有效的方法，因为它减少了外形尺寸，同时实现了更高的系统功能。除了散热能力，QFN封装的封装边缘周围有暴露的引线，为使用所有引脚进行调试和焊点仿真验证供应了便利。

(图字：最大负载电流(A);环境温度(℃);图32：降额曲线(12VIN))