如何在专业音频应用中生成负电源轨

专业音频产品系统产品中会使用到多种多样的运算放大器，ADC和DAC等器件，这些器件有时候不仅要正电源轨进行供电，还会要负电源轨进行供电（例如常见的负电压值有-5V，-12V和-15V等），且对供电电源轨的噪声也相当有要求。除了噪声要求之外，根据专业音频产品的形态分类，电源轨部分的设计还会考虑效率，pCB面积，成本等等因素。例如，带电池的产品中希望电源轨的高效率以延迟电池的使用时长；手持式/便携式产品中希望电源轨的外围电路尽可能的简单以减小pCB面积从而满足产品的体积要求。

生成正电源轨的不同方法已经为大家所熟知，因此这篇博客重要跟大家分享一下不同的负电源轨生成方法，通过比较不同方法的优缺点，来帮助大家选择到适合自己产品的低噪声，高效率的负电源轨设计方法。

目前市面上可见的几种生成负电源轨的方法有：电荷泵芯片方法，使用升压芯片结合电荷泵电路的方法，降压芯片VOUT与GND反接方法，反向BUCK-BOOST芯片方法以及反向BUCK芯片方法。其中反向降压芯片方法为TI独家方法。

1）电荷泵芯片方法：

电荷泵芯片通常内部组成重要为电容和开关，通过开关的开启关闭来控制电荷泵内部电容的充放电（即开关电容）来出现负输出电压。以下为LM2776的内部结构示意图为例，在充电阶段，S1与S3开关闭合（S2和S4开关为断开状态），开关电容被连接在输入电压与地之间，充电电容被充电到输入电压VIN；在放电阶段，S2和S4开关闭合（S1和S3为断开状态），此时开关电容的阳极接地，阴极接VOUT，若负载电流为0，VOUT即为-VIN。若负载电流不为0，计算VOUT的值还需考虑MOSFET开关的寄生电阻，电容的ESR以及电容充放电时的电荷损失等。

电荷泵芯片出现负电源轨的外围电路也很简单，不要电感元件，只要几个常见的小电容，因此电荷泵芯片方法的成本也比较低。不过，在使用电荷泵芯片方法出现负电源轨的方法时，有两个点要注意：

电荷泵芯片出现负电源轨的方法能驱动的负载电流比较小，通常最大负载电流在200mA左右，若驱动大电流负载，VOUT会急剧变化且芯片效率也会受影响。

使用普通的电荷泵芯片出现的负输出电压的纹波都会比较大，若要给运放等对纹波有要求的模拟器件供电，还要在负输出电压后添加一颗LDO芯片，以提高pSRR，降低纹波及噪声。

为了解决电荷泵芯片出现的负电源轨纹波大的问题，德州仪器在LM2776的基础上发展出了内部集成了一颗负LDO的电荷泵芯片，LM27761。下图为LM27761的典型应用示意图：

您还可以通过使用TI免费在线仿真软件WEBENCH来创建LM27761的定制设计，进行线上仿真，生成可导出的pCB文件及核算BOM。如下方为使用WEBENCH设计出来的LM27761参考电路，VIN=5.5V，VOUT=-5V，IOUT=50mA。

此外，在某些应用中，例如耳机等，敏感的模拟负载要两个供电电压：一个正电压和一个负电压，且两个供电电源轨都要干净。假如电源输入端（例如单节锂离子电池）上存在一些噪声，正电压处也要一个LDO才能将噪声降至可接受范围。此时，LM27762是个不错的选择，它的内部同时集成了正LDO与负LDO，能同时出现正负两个低噪的输出电压给敏感器件供电。下方是LM27762的典型电路，更多应用及设计细节，您还可以参考TI的参考设计TIDA-01341Hi-Fi耳机放大器设计。

2）使用升压芯片结合电荷泵电路方法：

该方法要使用到一颗通用升压开关电源芯片及一个由开关电容和二极管搭成的电荷泵电路。如下是该方法的参考示意图，使用了一颗性价比较高的升压开关电源芯片，TLV61048。当TLV61048的内部开关断开的时候，SW引脚处电压为：（输出正输出电压-D1上的电压），开关电容被充电。当TLV61048的内部开关闭合的时候，电荷泵电路部分与TLV61048内部开关与地形成一个闭合环路，开关电容开始放电，负电压输出出现。如下方法中具体的电路设计及元器件选型可参考TI应用文档SLVAEJ3。

此种方法的优点是效率比使用电荷泵芯片的方法要高，不过与使用电荷泵芯片出现的负输出电压类似，它出现的负输出电压的纹波也会比较大。因此，在给对噪声敏感的元器件供电时，要在输出的正负电源轨后方添加个LDO来提高pSRR及减少噪声。TpS7A39是一颗双通道，正负电压输入和正负电压输出，低噪声，高pSRR的LDO芯片，可直接连接在使用升压芯片结合电荷泵电路出现的正负电压之后。

3）使用降压开关电源芯片VOUT与GND反接方法：

使用降压开关电源芯片VOUT与GND反接的方法是最为常见的，只需使用一颗通用的降压开关电源芯片，把VOUT与GND反接即可。下方该方法的参考示意图中使用了一颗通用的TI降压开关电源芯片，具有宽输入电压范围，内部环路补偿的TpS54x02家族芯片。在使用降压开关电源芯片VOUT与GND反接方法的时候，有几个点要格外注意：

在选择降压开关电源芯片的时候，应当确认该芯片的输入及输出电压的可承受范围范围以及考虑输出电流的可承受范围。当降压开关电源芯片被用作反向电源拓扑结构的时候，此降压开关电源芯片的输入范围会减小。

当使用降压开关电源芯片VOUT与GND反接方法的时候，右半边平面零点会新增电路的不稳定性，为了防止内部环路补偿带来的影响，提高电路系统的稳定性，输出电容及电感的选择要格外谨慎。

详细的计算步骤可参考TI应用文档SLVA933以及TI的参考设计TIDA-01457适用于小型低噪声系统的3V至11.5V输入电压、-5V输出电压、1.5A反相电源模块参考设计。此方法出现的负电源轨纹波与所选择的降压开关电源芯片有直接关系，选择低纹波高性能的降压开关电源芯片，则出现的负输出电压也会比较低；若选用高性价比的通用降压开关电源芯片，纹波会比较大，建议给对噪声有要求的敏感元器件供电时，也接一个LDO。

4）反向DC/DC芯片方法：

除了电荷泵电源芯片方法能直接使用单颗芯片来出现负输出电压，TI还有另外两个拓扑结构能直接生成负输出电压的单颗芯片方法：反向BUCK-BOOST芯片和反向BUCK芯片，其中反向BUCK芯片为TI独家芯片。

反向BUCK-BOOST芯片推荐：TpS63700：

-可调节输出最低至-15V

-输入电压范围：2.7V至5.5V

-最大可到360mA的输出电流

-高达84%的效率

-1.4MH固定频率pWM工作模式

-过温保护

反向BUCK芯片推荐：TpS63710

-输入电压范围：3.1V至14V

-输出电压范围：-1V至-5.5V

-输出电流为1A

-效率高达91%

-低噪声：22uVRMS（10Hz至100KHz）

-1.5MHz固定频率pWM模式

-|VOUT|

给对噪声敏感的元器件供应负电压轨时可直接使用TpS63710，不要再添加额外的LDO芯片。

下图是使用WEBENCH线上仿真工具生成的TpS63710参考电路，VIN=12V，VOUT=-5V，IOUT=1A：

总结一下以上四种重要的负电源轨生成方法，电荷泵芯片方法是最为简单且性价比较高的方法，但是适用于200mA以下负载电流的应用场景；反向BUCK-BOOST芯片方法可输出绝对值更大的负电压及满足更大的负载电流需求，它的效率也会比电荷泵芯片方法略高，不过单颗反向BUCK-BOOST芯片出现的负输出电压纹波及噪声较大，给对噪声敏感的运放等元器件供电时，要添加额外的负LDO；反向BUCK芯片方法是效率最高的方法，且不要添加额外的LDO即可出现低噪且纹波小的负输出电压。每个方法都有每个方法的优点，还需结合您产品的特性并加以斟酌。