开关电源基本组成部分

1开关电源介绍

此文档是作为张占松高级开关电源设计之后的强化培训，基于计划安排，由申工讲解了变压器设计之后，在此文章中简单带过变压器设计原理，重点讲解电路工作原理和设计过程中关键器件计算与选型。

开关电源的工作过程相当容易理解，其拥有三个明显特点：

开关：电力电子器件工作在开关状态而不是线性状态

高频：电力电子器件工作在高频而不是接近工频的低频

直流：开关电源输出的是直流而不是交流也可以输出高频交流如电子变压器

1.1开关电源基本组成部分

1.2开关电源分类：

开关电源按照拓扑分很多类型：buckboost正激反激半桥全桥LLC等等，但是从本质上区分，开关电源只有两种工作方式：正激：是开关管开通时传输能量，反激：开关管关断时传输能量。

下面将以反激电源为例进行讲解。

1.3反激开关电源简介

反激又被称为隔离buck-boost电路。基本工作原理：开关管打开时变压器存储能量，开关管关断时释放存储的能量

反激开关电源根据开关管数目可分为双端和单端反激。

根据反激变压器工作模式可分为CCM和DCM模式反激电源。

根据控制方式可分为pFM和pWM型反激电源。

根据驱动占空比的出现方式可分为电压型和电流型反激开关电源。

我们所要讲的反激电源精确含义为：电流型pWM单端反激电源。

1.4电流型pWM单端反激电源

此类反激电源优点：结构简单价格便宜，适用小功率电源。

此类反激电源缺点：功率较小，一般在150w以下，纹波较大，电压负载调整率低，一般大于5%。

此类反激电源设计难点重要是变压器的设计，特别是宽输入电压，多路输出的变压器。

2举例讲解设计过程

为了更清楚了解设计中详细计算过程，我们将以220VAC-380VAC输入，+5V±3%（5A），±15±5%（0.5A）三路共地输出反激电源为例讲解设计过程。

提出上面要求，选择思路如下：

电源总输出功率p=5*5W+15*0.5*2=40W功率较小，可以选择反激开关电源。

反激电源功率只有40W又属于多路输出，+5V±3%，纹波±150mV，±15±5%。5V要求精度高，所以5v作为电源主反馈。考虑到5V对±15V的交叉控制能力，开关电源选用断续模式（DCM）。

芯片供电线圈选用15V输出，但是其功率很小，计算过程中忽略不计。

电源功率较小，输入电压变化范围只有±30%，所以不要pFC电路。

电源总体电路框图设计如下：

3输入电路

输入电路包括防雷单元，EMI电路和整流滤波电路。下图为常见开关电源输入回路：

3.1.1防雷单元

基于压敏电阻和陶瓷气体放电管的防雷电路使用的比较多，电路简单价格便宜。

●MOV1，MOV2，MOV3为压敏电阻，用来吸收雷击的浪涌电压，保护后面的电路，是防雷单元的重要元件。

●加入保险丝F2，F3，以及气体放电管FDG的其重要是安全要求，因为压敏电阻的失效模式特点，在遭受雷击或长时间老化后，压敏电阻电压等级会降低，有可能低于电网电压，导致其功耗变大甚至短路，加入保险以及气体放电管，保证压敏出现故障不会造成短路。

●保险丝F1一方面是保护后面电路出现故障时断开，另一方面，它也有防雷效果，在遭受雷击时，会有浪涌电流涌入MOV3，有可能导致保险F1断开，但是假如想要有抗雷击效果，要使用快速保险。

3.1.2EMI电路

由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易出现比较强的电磁干扰（EMI）信号。其EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。设计EMI电路是为了抑制开关电源工作出现的辐射及传导干扰对电网的影响。

●EMI电路中：C1、L1、C2、C3，C4组成的双π型滤波网络，C1，C4为X电容，滤除差模干扰，C2，C3为Y2电容，滤除共模干扰。其中L1为共模电感，能够抑制共模信号。L1的漏感为差模电感，抑制高频差模信号。C7为Y2电容，其在整流桥电流换向时，整流桥断开，输入与滤波电容完全隔开，滤波电容以后处于悬浮状态，所以加入电容C7，在整流桥换向过程中抑制EMI。

●EMI电路对电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身出现的高频杂波对电网干扰。

●R1，R2是安规要求，其重要用途是为了给X电容放电。要在较短的时间内将X电容的电压降低到安全电压一下。

●当电源开启瞬间，要对C5充电，由于瞬间电流大，加RT1（热敏电阻）就能有效的防止浪涌电流。因瞬时能量全消耗在RT1电阻上，一按时间后温度升高后RT1阻值减小（RT1是负温系数元件），这时它消耗的能量非常小，后级电路可正常工作。

3.1.3整流滤波电路

●交流电压经BRG1整流后，经C5滤波后得到较为纯净的直流电压。若C5容量变小，输出的交流纹波将增大，所以选着合适的C5关于系统稳定非常重要。

●相关经验选取：一般没有pFC的380VAC开关电源C5按照1.5-2.5uF/w来选。按照这个标准可以满足绝大部分电源滤波要求。具体不同要根据环境温度，温度高电容要取大一些。

●电容C6为一高频薄膜电容，它在整流桥换向时供应能量和回路，对电源传导干扰有明显抑制用途。

以上元器件参数不是计算得到的，而是进行了EMI整改和雷击实验的时候确定最终参数。关于电容C5可以选择100uf/350V电解电容串联。关于上一部分设计，我们公司一般都是直流母线直接输入，所以C5选取可以小一些。

4关键电路计算：

功率变换是设计的关键部分，其设计过程重要包括功率元件选择和开关变压器设计，其中开关变压器设计是开关电源设计工作中最重要的部分，其设计的结果直接决定了开关电源的性能，本文重要讲解电路原理。

4.1开关变压器

4.1.1变压器设计要点

关于40W的反激开关电源，变压器工作在DCM模式比较好。

●该电源5V输出为5A，为了提高5V控制力，使用铜箔，新增耦合系数。

●由于该电源设计为多路共地输出，+15V与-15V双线并绕，提高交叉调节能力。

●初级线圈分成两部分，使用三明治绕法，减小漏感。

●铁芯：有许多厂家的铁芯可被用作反激变压器。下面的材料适合使用：pC40或pC443C85、3C90或3F3。反激变压器一般用E形磁芯，原因是它成本低、易使用。其它类型磁芯如EF、EFD、ETD、EER和EI应用在有高度等特殊要求的场合。RM、.toroid和罐形磁芯由于安全绝缘要求的原因不适合使用。低外形设计时EFD较好，大功率设计时ETD较好，多路输出设计时EER较好。

●骨架：对骨架的重要要求是确保满足安全爬电距离，初、次级穿过磁芯的引脚距离，要求以及初、次级绕组面积距离的要求。骨架要用能承受焊接温度的材料制作。

●绝缘胶带：聚酯和聚酯薄膜是用作绝缘胶带最常用的形式，它能定做成所需的基本绝缘宽度或初、次级全绝缘宽度。边沿胶带通常较厚少数几层就能达到要求，它通常是聚酯胶带。

4.1.2变压器详细计算

以上面的一个实例来讲一下计算过程。

1.确定电源规格。

1）。输入电压范围Vin=220—380Vac;

2）。输出电压/负载电流：Vout1=5V/1A，Vout2=15V/0.5A，Vout3=-15V/0.5A;

3）。变压器的效率ŋ=0.90

2.工作频率和最大占空比确定。

取：工作频率fosc=100KHz，最大占空比Dmax=0.45.（取小于0.5是由退磁伏秒积决定的）

Tosc=1/fosc=10us.Ton（max）=0.45*25=4.5us

Toff=10-4.5=5.5us.

3.计算变压器初与次级匝数比n（Np/Ns=n）。

最低输入电压Vin（min）=220*√2-20=280Vdc（取低频纹波为30V）。

根据伏特-秒平衡，有：Vin（min）*Dmax=（Vout+Vf）*（1-Dmax）*n.

其中Vout为主反馈，因为主反馈电压是稳定的，是真正控制变压器的信号推得：

n=［Vin（min）*Dmax］/［（Vout1+Vf1）*（1-Dmax）］=［280*0.45］/［（5+0.8）*0.55］=39.5

由于5V输出电流为5A，所以5V整流二极管使用大电流肖特基，压降近似取0.8V

4.变压器初级峰值电流的计算。

设+5V输出电流的过流点为120%;+5v整流二极管的正向压降为0.8V和±15v整流二极管的正向压降1.0V.

●+5V输出功率：pout1=（Vout1+Vf1）*Iout1*120%=（5+0.8）*5*1.2=34.8W

●+15V输出功率pout2=（Vout2+Vf2）*Iout2=16*0.5=8W

●-pout3=（Vout3+Vf3）*Iout3=16*0.5=8W

变压器次级输出总功率pout=pout1+pout2+pout3=51W

由于工作在断续模式，所以一个周期输入的能量全部输出。

根据能量守恒：

Vin（min）*0.5*Ipp*Dmax*Tosc*fosc=pout/ŋ

所以Ipp=pout/（ŋ*Vin（min）*0.5*Dmax）=51/（0.9*280*0.5*0.45）=0.9A

5.变压器初级电感量的计算。

由式子Vdc=Lp*di/dt，得：

Lp=Vin（min）*Ton（max）/Ipp=280*4.5/0.9uH=1.4mH

6.变压器铁芯的选择。

根据相关经验式子Aw*Ae=pt*106/［2*ko*kc*fosc*Bm*j*ŋ］，其中：

pt（变压器的标称输出功率）=pout=23W，Ko（窗口的铜填充系数）=0.3（电压较高Ko较小），Kc（磁芯填充系数）=1（关于铁氧体），变压器磁通密度Bm=2700Gs，过载时Bm=3000GS，j（电流密度）：j=4.5A/mm。

Aw*Ae=51*106/［2*0.3*1*100*103*2700Gs*4.5*0.90］=0.9cm4

考虑到绕线空间，选择窗口面积大的磁芯，查表：

EE19铁氧体磁芯的有效截面积Ae=0.22cm2

它的窗口面积Aw=0.50cm2

EE19的功率容量乘积为

Ap=Ae*Aw=0.11cm4》0.09cm4

故选择EE19铁氧体磁芯满足条件

7.变压器初级匝数及气隙长度的计算。

1）。由Np=Lp*Ipp/［Ae*Bm］，得：

Np=1400*0.9/（22.8*0.3）=取Np=184

由Lp=uo*ur*Np2*Ae/lg，得：

气隙长度lg=uo*ur*Ae*Np2/Lp=4π*10-7*184^2*22.8/1.4=0.66mm取lg=0.7mm

2）。当+5V限流输出，Ipp为最大时（Ipp=0.9A），检查Bmax.

Bmax=Lp*Ipp/［Ae*Np］=1.4*10-3*0.9/（22.8*10-6*184）=0.307T=3070Gs《3300Gs

老的资料上介绍的铁氧体参数已经不准确了，现在铁氧体饱和可以做到3500GS以上，部分铁氧体材质可以做到4700GS，因此变压器磁芯选择可以通过。

8.变压器次级匝数的计算。

Ns1（5v）=Np/n=184/39.5=4.5取Ns1=5

Ns2（15v）=（15+1）*Ns1/（5+0.8）=13.8取Ns2=14

Ns3（-15v）=（15+1）*Ns1/（5+0.8）=13.8取Ns3=14

故初次级实际匝比：n=180/5=36

9.重新核算占空比Dmax和Dmin.

1）。当输入电压为最低时：

Vin（min）=280Vdc.

由Vin（min）*Dmax=（Vout1+Vf1）*（1-Dmax）*n，得：

Dmax=（Vout1+Vf1）*n/［（Vout1+Vf1）*n+Vin（min）］=0.43《0.45

占空比合格。

2）。当输入电压为最高时：

Vin（max）=380*1.414=537Vdc.

Dmin=（Vout1+Vf1）*n/［（Vout1+Vf1）*n+Vin（max）］=0.263

10.重新核算变压器初级电流的峰值Ip和有效值I（rms）。

DCM模式下，变压器初次级电流为三角波，

11.根据电流波形，求得三角波电流有效值I（rms）=Ip*Sqrt（D/3）

1）。在输入电压为最低Vin（min）和占空比为Dmax条件下，初级电流的峰值Ipp和有效值Ip（rms）。

所以Ipp=pout/（ŋ*Vin（min）*0.5*Dmax）=51/（0.9*280*0.5*0.43）=0.94A

2）。当+5V限流输出，Ipp为最大时（Ipp=0.9A），检查Bmax.

Bmax=Lp*Ipp/［Ae*Np］=1.4*10-3*0.94/（22.8*10-6*184）=0.307T=3130Gs《3300Gs

因此变压器初级匝数选择通过。

Ip（rms）=Ipp*Sqrt（Dmax/3）=0.94*Sqrt（0.43/3）=0.355A

3）。次级电流有效值计算

次级电流也是三角波，其平均值为输出电流。所以根据面积等效法求得：

Iout*Tosc=0.5*Isp*Tosc*（1-D）

所以Isp=Iout*Tosc/（0.5*Tosc*（1-D））=2*Iout/（1-D）

Is（rms）=Isp*Sqrt（（1-D）/3）

+5V绕组电流计算如下：

Is1p=2*Iout1/（1-Dmax）=2*6/（1-0.43）=21A

Is1（rms）=Is1p*Sqrt（（1-Dmax）/3）=9.17A

+15V绕组电流计算如下：

Is2p=2*Iout2/（1-Dmax）=2*0.5/（1-0.43）=1.75A

Is2（rms）=Is2p*Sqrt（（1-Dmax）/3）=0.764A

-15V绕组计算同+15V

Is3p=2*Iout3/（1-Dmax）=2*0.5/（1-0.43）=1.75A

Is3（rms）=Is3p*Sqrt（（1-Dmax）/3）=0.764A

12.变压器初级线圈和次级线圈的线径计算。

1）。导线横截面积：

前面已提到，取电流密度j=4.5mm2

变压器初级线圈：导线截面积=Ip（rms）/j=0.35A/4.5A/mm2=0.07mm2

其中次级电流计算方法类似，这里不做过多讲解。

2）。线径及根数的选取。

考虑导线的趋肤效应，因此导线的线径建议不超过穿透厚度的2倍。

穿透厚度=66.1*k/（f）1/2

k为材质常数，Cu在20℃时k=1.

=66.1/（100*103）1/2=0.20

因此导线的线径不要超过0.40mm.假如单根导线直径太大可以使用多只并绕，关于铜箔厚度可以取0.35mm

5）。变压器绕线结构及工艺。

为了减小变压器的漏感，建议采取三文治绕法，而且采取该绕法的电源EMI性能比较好，另外变压器中具体的安规问题参见公司安规标准。

4.2器件选型与计算

4.3控制开关主回路：

4.3.1芯片工作原理：

UC3844是一种高性能单端输出式电流控制型脉宽调制器芯片，由该集成电路构成的开关稳压电源与一般的电压控制型脉宽调制开关稳压电源相比具有外围电路简单、电压调整率好、频响特性好、稳定幅度大、具有过流限制、过压保护和欠压锁定等优点。该芯片的重要功能有：内

部采用精度为±2．0％的基准电压为5.00V，具有很高的温度稳定性和较低的噪声等级；振荡器的最高振荡频率可达500kHz。内部振荡器的频率同脚8与脚4间电阻Rt、脚4的接地电容Ct决定。其内部带锁定的pWM（pulseWidthModulation），可以实现逐个脉冲的电流限制；具有图腾柱输出，能供应达1A的电流直接驱动MOSFET功率管。

4.3.1.1芯片结构框图：

芯片频率选择：

4.3.1.2芯片辅助元件选择：

UC3844的脚8与脚4间电阻R6及脚4的接地电容C42决定了芯片内部的振荡频率，大多数电源设计人员认为芯片振荡只要频率对了就可以，其实不然。设计芯片振荡RC的值还跟最大占空比有关。此电源选取100K为开关频率，对应100K有很多种R和C可以满足要求，但是不同RC对应的最大占空比不同。综合考虑选取R=15K、C=500pF，保证了频率是100K同时最大占空比设计在45%以上。

细节：由于UC3844内部有个分频器，所以驱动MOSFET功率开关管的方波频率为芯片内部振荡频率的一半。

其中R5、R8选择关于启动过冲，最大输出功率（最大占空比），以及过功率保护有重要影响。分析框图可知，VFB引脚接地，则COMp引脚会输出1mA电流（有的公司芯片会在2-3mA）。TL431最小工作电流1mA，则流过光耦的最小电流由R8决定。也就是说光耦最小电流可以从0-1mA变化，按照光耦传输比300%计算，则光耦输出端可以吸纳3mA电流，即流过R5的电流可以设计为最小2mA，这样就限制了COMp电压最高值，也就限制了电流采样电阻最大电流。设计时要跟采样电阻配合设计。我们公司有一些标准参数可以满足反激电源要求；R8=2K，R5=1K。

4.3.2反馈工作原理：

当输出电压升高时，经两电阻R12、R10分压后接到TL431的参考输入端（误差放大器的反向输入端）的电压升高，与TL431内部的基准参考电压2.5V作比较，使得TL431阴阳极间电压Vka降低，进而光耦二极管的电流If变大，于是光耦集射极动态电阻变小，集射极间电压变低，也即UC3844的脚1的电平变低，经过内部电流检测比较器与电流采样电压进行比较后输出变高，pWM锁存器复位，或非门输出变低，于是关断开关管，使得脉冲变窄，缩短MOSFET功率管的导通时间，于是传输到次级线圈和自馈线圈的能量减小，使输出电压Vo降低。反之亦然，总的效果是令输出电压保持恒定，不受电网电压或负载变化的影响，达到了实现输出闭环控制的目的。

注意：设计中R68、C41对启动过冲影响：加入R68与C41可以在反馈环路中引入一个零点，该零点可以引入相位超前量，使得系统对过冲反映更快，进而减小过冲。

表2反馈环路相关经验值：

4.3.3启动及辅助供电：

图3为启动及辅助供电电路，其功能是实现电源芯片自启动供电和正常工作供电。为了安全我此电源带有短路保护电路（Q15，C101，R71，R7，R73），延长短路时打嗝保护时间，提高短路保护效果。

4.3.3.1启动供电：

此开关电源选用UC38C44，启动供电由R3、R1、R2、R4四个启动电阻和C2，C3组成，在电源完成启动前由启动电阻和电容给电源控制芯片UC3844供电。

启动电阻选取原则：

1、在母线输入最小工作电压下280VDC，流过启动电阻的电流要大于电源控制芯片UC3844启动电流（uc3844一般取0.5mA）。所以电阻R《280/0.5Kohm=560Kohm。

2、串联启动电阻耐压之和要大于母线电容最大电压537vdc，所以启动电阻散热功率一般贴片1210封装耐压200V，鉴于耐压和散热考虑选用R3、R1、R2、R4串联来满足耐压和功率需求。

3、最大输入电压下537VDC，串联启动电阻的温升不得超过测试规范（40摄氏度）。启动电阻体积比较小，摆放位置首先要满足远离发热元件，其次再考虑走线问题，（启动电阻走线不必考虑电磁干扰问题）。

4.3.3.2辅助供电电路：

当电源启动以后，控制芯片UC3844供电改由辅助供电电路供应。该电路在变压器辅助绕组取电，经过D1整流和由R7、C2、C3组成的RC滤波器滤波后供芯片使用。其中R7取值关于电路调试很关键，会影响电源启动和芯片工作电压，R7、C2选取原则：RC滤波器时间常数大于开关周期10倍，小于C2维持时间的一半。另外C2选取一般还要满足最低母线电压启动时充电时间小于3S。

综合考虑C2选取25v/100uf（芯片资料推荐值大于47uf），R7使用36Ω，由于不同的输出滤波电容，不同的变压器，在整机调整时再最终确定R7C2值。

4.3.3.3短路保护电路：

工作原理：芯片正常工作时，5VREF节点电压为5V，则Q15栅源电压Vgs=4.3V。此时Q15导通，则D33阳极被拉低接近0V，此时D33反偏，没有电流流过D33。当出现短路时，辅助供电电路电压降低，无法给芯片UC3844供电。此时芯片UC3844消耗电容C2存储的能量，当C2电压低于芯片UC3844的下限电压Uoff后，芯片停止工作，电源被保护。UC3844停止工作后，5VREF点电压为0V，电容C101经过R73放电。当C101电压低于Q15开启电压Vth后Q15关闭，然后D33转向正向导通，通过启动电阻对电容C101充电，当充电电压达到UC3844的Vth电压后，电源再次启动。

短路持续时间：从短路开始到电容C2电压降低到UC3844下限电压所用的时间，时长取决与正常工作时工作电压和C2容量以及UC3844芯片功耗。

打嗝保护时间由两部分组成：电容C101经过R73放电到电压低于Q15开启电压Vth的时间T1，和启动电阻对电容C2充电到UC3844芯片Vth电压的时间T2。

分析可得，电容C2取值不易过大，满足启动要求即可，否则短路持续时间会比较长。假如整个变压器利用率很低，整个电源输出功率很小时，有可能出现短路不保护，这要新增电阻R7的阻值，同时增大R20R21。

由于这些电阻电容以及mos管都有离散型，所以计算一个精确地时间没有意义，要在整机出来以后根据电路原理来调节参数，使得短路电流和短路保护时间满足要求。

4.3.4开关管及其驱动

4.3.4.1驱动电阻及保护稳压二极管：

图4中，R85R16决定了开关管的开关速度，而开关管的开关速度会影响开关损耗和传导辐射。具体用多大驱动电阻可以通过测开关管波形来选择。反激电源驱动电阻选择要同时满足开关损耗和电压尖峰要求，关于我们公司反击电源一般工作在DCM模式，关断损耗远大于开通损耗，所以一般开通电阻R85比关断电阻R16大。在保证没有明显关断过冲的情况下，关断电阻越小越好。稳压二极管Z6起保护MOS管Q2的用途，一般选择18V，（连接方法注意，稳压二极管阳极直接接mos管S极，而不是接地）。

关于40W100K的反激开关电源，其要求开关速度较快，一般将R85R16选择在10Ω左右，具体的数值可以通过实验来满足，在mos发热量允许的情况下，可以将电阻加大，减小开关速度，以得到较好的EMI。

4.3.4.2电流采样电阻及采样电流滤波电路：

图4中R20、R21为电流采样电阻，其阻值要满足低压满载电流峰值时电阻上最大电压在0.5v-0.8v之间。这个电压太低影响限功率保护效果，电压太高会影响电源动态。采样电流滤波电路有R121C8组成，其RC时间常数要小于开关周期的1/40，根据开关尖峰情况，一般时间常数取200ns-500ns（大于芯片内部前沿消隐电路延时）可以满足大部分开关电源要求。采样电阻最好使用贴片或无感电阻，小功率也可以使用金属膜电阻。

所以关于此电源，由于前面计算，Ipp=0.94A，所以电阻R20//R21取到0.5Ω-0.85Ω。

4.3.4.3过压保护原理：

图4中Z1起到过压保护用途，当输出电压变高时，辅助供电绕组电压也升高，导致电容C2电压升高，当电压超过18V时稳压二极管Z1导通，输出功率开始受限，当电压超过19V时芯片3脚电压超过1V，芯片输出pWM停止，输出电压被限制。

4.3.4.4开关MOS管：

图4中Q2为电源开关MOS管，Mos管作为开关其要满足耐压和温升两个问题，初步选型是根据相关经验MOS管耐压值可以取1.5*Uinmax，小功率电源开关MOS电流可以取到2*Ipp。（Ipk为初级电流峰值）。我们公司变压器一般工作在DCM下，变压器初级电流计算可以按照伏伏秒积求Ipk=Uinmin*Tonmax/Lm，Uinmin为输入最小母线电压，Tonmax为MOS最大开通时间，Lm为初级电感量，开关MOS电压应力有三部分组成：电源输入电压，反射电压，电压尖峰。反射电压：Vrd=（Vo+Vf）*Np/Ns，其中Vo为主反馈输出电压，Vf为主反馈二极管导通压降，Np为变压器初级匝数，Ns为主反馈绕组匝数。尖峰电压取决与驱动电阻，工作电压，和输出功率以及RCD吸收回路，所以减小mos管电压应力的方法是加大RCD吸收，加大驱动电阻，但是而之变化都会影响效率，调试时要折中选择。

所以此电源选择900V2Amos管即可，但是由于有时候为了减小mos管发热量，同时成本新增不多的情况下，可以将mos’管电流选大一点。

4.4RCD吸收回路原理及设计：

本开关电源设计中，RCD吸收回路由R161、R14、C7、D5、D6组成。（详见图7）由于初级关键器件的的几个寄生参数（一次级间漏感、MOS的输出电容、二次侧二极管的结电容等），当MOS关断时，初级电流中耦合的部分转移到次级输出，但是漏感中的电流没有路径可回流，所以漏感能量会在MOS管D极形成高压击穿MOS。

4.4.1吸收回路设计：

RCD吸收回路用途就是给变压器初级漏感一条路径回流，并吸收漏感的电流。RCD吸收中，R是根据变压器漏感Lr储能来设计的，变压器漏感越大；R要消耗的能量（Er=Ipk2*Lr/2）越多；R的值就越低。线绕变压器漏抗储能在1~5%，估算出变压器漏磁储能功率；再算出变压器反激电压，就可以用欧姆定律求出阻值了。C的选择比较宽范，只要RC积大于10-20倍周期就可以了，一般RC积不超过1mS。所以；不会断电后放不完电。

这个值的选择只能估计，一般来讲50瓦三路输出100K反激变压器漏感必须控制在2%以内，否则漏感损耗太大，设计或做工不合理，要重新选择更大磁芯以减小漏感。

根据上面变压器的计算，可以得知反射电压UR=Vout1*n=5.8*39.5=230V，漏感功率pr=Er*fosc=Ipp^2*lr/2*fosc=1.2W

所以电阻选用2只2W的金属氧化膜电阻器串联。阻值Rr=Ur^2/pr/2=22K.但是最终电阻电容选择取决于变压器设计的如何，最简单实用的方法就是测量吸收电容电压。关于RCD吸收的几个器件，首先焊接一个计算值元件，然后再做调整，达到最好的要求。

●二极管选择：一般使用快恢复二极管，耐压值大于1.2*（Uinmax+Vrcd）

●电容电阻选择RC，R*C》10Tsw~20Tsw

●电容电压波动小于10%

●电容值电阻值选择保证Vrcd电压满足1.2*（Uinmax+Vrcd）《Vd，假如Vrcd电压太高，就减小R，假如Vrcd太小，会影响效率，所以要折中选择。

4.5输出整流及滤波：

反激电源输出滤波由二极管和滤波电容以及假负载组成，电路如图8所示。高电压大电流输出整流二极管要加入RC吸收二极管电压尖峰（图中R36C43）。并接在二极管两端的阻容串联元件在二极管开通或关断过程中，电压发生突变时，通过电阻对电容的充电将明显减缓电压变化率整流二极管加入RC滤波以后，电压尖峰降低了，振铃震荡也抑制住了。选择合适的RC对电源可靠性及EMI/EMC很重要。

C上的电压在初级MOS开通后到稳态时的电压为Vo+Ui/N，因为我们设计的RC的时间参数远小于开关周期，可以认为在一个吸收周期内，RC充放电能到稳态，所以每个开关周期，其吸收损耗的能量为：次级漏感尖峰能量+RC稳态充放电能量，近似为RC充放电能量=C*（Vo+Ui/N）^2。但是C取值也是无法精确计算的，根据相关经验值，一般R36为2w阻值在100Ω以内金属膜电阻。C43一般为高压瓷片电容，选取10n以内。

由于本电源功率较小频率100K，所以R36可以使用10Ω，电容使用4只1206贴片1nf高压瓷片电容。但是具体值的加大还是减小要还是要实际测量。取值办法一般使用先确定电容，再确定电阻。

在不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取合适的参数。

4.5.1整流二极管原理与设计

图8中D12是整流二极管。开关电源输出整流二极管要满足温升和耐压值要求，解决温升一般原则是尽可能使用肖特基二极管，或者选用电流更大的二极管，另外整流二极管本身就是一热源要注意散热，不能放在发热元件附近。二极管耐压值选择一般要大于两倍的反激电压，假如加入RC吸收电路来吸收二极管尖峰，可以选择耐压值大于1.5倍反激电压的二极管。所以5V可以选择40伏肖特基二极管。

对以5V来讲，其输出电流最大为6A，最大峰值为21A，所以二极管可以选择2045两只并联，这样可以减小导通压降，降低损耗。

4.5.2滤波电容原理与设计

图8中C57、C75为反激电源输出滤波电容，这些电容都是电解电容，电解电容ESR比较大，所以重要考虑电容ESR对输出电压纹波的影响。另外电解容量一般比较容易做大，所以一般不要考虑容量对纹波的影响。

电解电容属于易老化器件，所以要考虑长期可靠工作要满足工作电压低于80%额定电压。另外还要考虑电解电容温升，计算温升比较复杂，一般可靠的选取原则是电容电流Irms不要超过电容规格书给定的的最大Irms。

关于5V输出，其有效值前面已经计算Is1rms=9A，所以电容可以选用10v/2200uf（每只可以吸收1.3A电流）7只并联。然后由于纹波±150mV要求，所以要求滤波电容的并联ESR要小于150mv/Isip=150mv/21A=7mΩ。7只20℃电容并联电阻为：62m/7=8.8mΩ。但是实际工作过程中，电容温度会较高，所以电阻会低于8.8mΩ。基本可以满足要求。

4.5.3假负载原理与设计

图8中R59、R60为假负载，其大小是由辅助绕组的供电决定，假如假负载太轻，那么电源输出空载时辅助绕组得不到足够供芯片UC3844工作的能量，电源会打嗝。

另外适当加大假负载会提高电源动态和交叉调节能力。在调试电源中假如出现打嗝现象，可以加大假负载再调试。

此电源所有输出都应该加入假负载，尤其是±15V，假如假负载太轻，容易造成电压漂高。

5、电源保护电路

5.3.1短路保护电路

1、在输出端短路的情况下，pWM控制电路能够把输出电流限制在一个安全范围内，它可以用多种方法来实现限流电路，当功率限流在短路时不起用途时，只有另增设一部分电路。

2、短路保护电路通常有两种，下图是小功率短路保护电路，其原理简述如下：

当输出电路短路，输出电压消失，光耦OT1不导通，UC3842①脚电压上升至5V左右，R1与R2的分压超过TL431基准，使之导通，UC3842⑦脚VCC电位被拉低，IC停止工作。UC3842停止工作后①脚电位消失，TL431不导通UC3842⑦脚电位上升，UC3842重新启动，周而复始。当短路现象消失后，电路可以自动恢复成正常工作状态。

3、下图是中功率短路保护电路，其原理简述如下：

当输出短路，UC3842①脚电压上升，U1③脚电位高于②脚时，比较器翻转①脚输出高电位，给C1充电，当C1两端电压超过⑤脚基准电压时U1⑦脚输出低电位，UC3842①脚低于1V，UCC3842停止工作，输出电压为0V，周而复始，当短路消失后电路正常工作。R2、C1是充放电时间常数，阻值不对时短路保护不起用途。

4、下图是常见的限流、短路保护电路。其工作原理简述如下：

当输出电路短路或过流，变压器原边电流增大，R3两端电压降增大，③脚电压升高，UC3842⑥脚输出占空比逐渐增大，③脚电压超过1V时，UC3842关闭无输出。

5、下图是用电流互感器取样电流的保护电路，有着功耗小，但成本高和电路较为复杂，其工作原理简述如下：

输出电路短路或电流过大，TR1次级线圈感应的电压就越高，当UC3842③脚超过1伏，UC3842停止工作，周而复始，当短路或过载消失，电路自行恢复。

5.3.2输出端限流保护

上图是常见的输出端限流保护电路，其工作原理简述如上图：当输出电流过大时，RS（锰铜丝）两端电压上升，U1③脚电压高于②脚基准电压，U1①脚输出高电压，Q1导通，光耦发生光电效应，UC3842①脚电压降低，输出电压降低，从而达到输出过载限流的目的。

5.3.3输出过压保护电路的原理

输出过压保护电路的用途是：当输出电压超过设计值时，把输出电压限定在一安全值的范围内。当开关电源内部稳压环路出现故障或者由于用户操作不当引起输出过压现象时，过压保护电路进行保护以防止损坏后级用电设备。应用最为普遍的过压保护电路有如下几种：

1、可控硅触发保护电路：

如上图，当Uo1输出升高，稳压管（Z3）击穿导通，可控硅（SCR1）的控制端得到触发电压，因此可控硅导通。Uo2电压对地短路，过流保护电路或短路保护电路就会工作，停止整个电源电路的工作。当输出过压现象排除，可控硅的控制端触发电压通过R对地泄放，可控硅恢复断开状态。

2、光电耦合保护电路：

如上图，当Uo有过压现象时，稳压管击穿导通，经光耦（OT2）R6到地出现电流流过，光电耦合器的发光二极管发光，从而使光电耦合器的光敏三极管导通。Q1基极得电导通，3842的③脚电降低，使IC关闭，停止整个电源的工作，Uo为零，周而复始。

3、输出限压保护电路：

输出限压保护电路如下图，当输出电压升高，稳压管导通光耦导通，Q1基极有驱动电压而道通，UC3842③电压升高，输出降低，稳压管不导通，UC3842③电压降低，输出电压升高。周而复始，输出电压将稳定在一范围内（取决于稳压管的稳压值）。

4、输出过压锁死电路：

图A的工作原理是，当输出电压Uo升高，稳压管导通，光耦导通，Q2基极得电导通，由于Q2的导通Q1基极电压降低也导通，Vcc电压经R1、Q1、R2使Q2始终导通，UC3842③脚始终是高电平而停止工作。在图B中，UO升高U1③脚电压升高，①脚输出高电平，由于D1、R1的存在，U1①脚始终输出高电平Q1始终导通，UC3842①脚始终是低电平而停止工作。正反馈？

5.3.4输入过欠压保护

1、原理图：

2、工作原理：

AC输入和DC输入的开关电源的输入过欠压保护原理大致相同。保护电路的取样电压均来自输入滤波后的电压。取样电压分为两路，一路经R1、R2、R3、R4分压后输入比较器3脚，如取样电压高于2脚基准电压，比较器1脚输出高电平去控制主控制器使其关断，电源无输出。另一路经R7、R8、R9、R10分压后输入比较器6脚，如取样电压低于5脚基准电压，比较器7脚输出高电平去控制主控制器使其关断，电源无输出。

6、附加项

6.1pFC的用途

pFC的英文全称为“powerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。基本上功率因素可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因素值越大，代表其电力利用率越高。计算机开关电源是一种电容输入型电路，其电流和电压之间的相位差会造成交换功率的损失，此时便要pFC电路提高功率因数。目前的pFC有两种，一种为被动式pFC（也称无源pFC）和主动式pFC（也称有源式pFC）。

6.1.1被动式pFC

被动式pFC一般采用电感补偿方法使交流输入的基波电流与电压之间相位差减小来提高功率因数，被动式pFC包括静音式被动pFC和非静音式被动pFC。被动式pFC的功率因数只能达到0.7～0.8，它一般在高压滤波电容附近。

6.1.2主动式pFC

而主动式pFC则由电感电容及电子元器件组成，体积小、通过专用IC去调整电流的波形，对电流电压间的相位差进行补偿。主动式pFC可以达到较高的功率因数──通常可达98%以上，但成本也相对较高。此外，主动式pFC还可用作辅助电源，因此在使用主动式pFC电路中，往往不要待机变压器，而且主动式pFC输出直流电压的纹波很小，这种开关电源不必采用很大容量的滤波电容。

6.1.3pFC的用途：

用途是节省能源！就是说让电网中的能源尽可能被100%利用，但是实际中做不到，但可以接近，比如pFC99%等，也就是说有用功越多越好，无用功越小越好。功率因数低，偕波含量太高，对电网的冲击就大，严重时会影响到其他电器的正常工作。

1）由于设备中有电容，电感，变压器等器件使电压和电流不同步，这样出现无功功率，

2）由于开关管，整流器等用途，输出电流中有畸变，谐波含量比较大，这样导致功率因数下降。

它的危害是显然的，重要是对电网以及电器设备及器件的冲击力很大，容易毁坏器件。

而无源pFC只是在器件的前端和后端分别用差模和共模来滤波，这样加L，C导致体积很大，而且功率因数只能达到0.85左右;主动式pFC可以达到较高的功率因数──通常可达98%以上，但成本也相对较高。

6.1.4pFC电路

无源pFC电路比较简单，重要讲解一下有源pFC电路。

有源pFC本质为一个带有SpWM的BOOST电路，控制方法有很多，电流型电压型CCM

下图为pFC典型电路：

6.2开关电源EMI出现机理及抑制

开关电源向高频化、高效化方向迅猛发展，EMI抑制已成为开关电源设计的重要指标电磁干扰（EMI）就是电磁兼容不足，是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。近年来，开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。开关电源已逐步取代了线性稳压电源，广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易出现比较强的电磁干扰（EMI）信号。EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。所以，如何降低甚至消除开关电源中的EMI问题已经成为开关电源设计师们非常关注的问题。本文着重介绍开关电源中开关管及二极管EMI的四种抑制方法。

6.2.1开关管及二极管EMI出现机理

开关管工作在硬开关条件下开关电源自身出现电磁干扰的根本原因，就是在其工作过程中的开关管的高速开关及整流二极管的反向恢复出现高di/dt和高dv/dt，它们出现的浪涌电流和尖峰电压形成了干扰源。开关管工作在硬开关时还会出现高di/dt和高dv/dt，从而出现大的电磁干扰。图1绘出了接感性负载时，开关管工作在硬开关条件下的开关管的开关轨迹，图中虚线为双极性晶体管的安全工作区，假如不改善开关管的开关条件，其开关轨迹很可能会超出安全工作区，导致开关管的损坏。由于开关管的高速开关，使得开关电源中的高频变压器或储能电感等感性负载在开关管导通的瞬间，迫使变压器的初级出现很大的浪涌电流，将造成尖峰电压。开关管在截止期间，高频变压器绕组的漏感引起的电流突变，从而出现反电势E=-Ldi/dt，其值与电流变化率（di/dt）成正比，与漏感量成正比，叠加在关断电压上形成关断电压尖峰，从而形成电磁干扰。此外，开关管上的反向并联二极管的反向恢复特性不好，或者电压尖峰吸收电路的参数选择不当也会造成电磁干扰。由整流二极管的反向恢复引起的干扰源有两个，它们分别是输入整流二极管和输出整流二极管。它们都是由电流的换向引起的干扰。由图2表明，t0=0时二极管导通，二极管的电流迅速增大，但是其管压降不是立即下降，而会出现一个快速的上冲。其原因是在开通过程中，二极管pN结的长基区注入足够的少数载流子，发生电导调制要一定的时间tr。该电压上冲会导致一个宽带的电磁噪声。而在关断时，存在于pN结长基区的大量过剩少数载流子要一按时间恢复到平衡状态从而导致很大的反向恢复电流。当t=t1时，pN结开始反向恢复，在t1-t2时间内，其他过剩载流子依靠复合中心复合，回到平衡状态。这时管压降又出现一个负尖刺。通常t2《t1，所以该尖峰是一个非常窄的尖脉冲，出现的电磁噪声比开通时还要强。因此，整流二极管的反向恢复干扰也是开关电源中的一个重要干扰源。

6.2.2EMI抑制方法

di/dt和dv/dt是开关电源自身出现电磁干扰的关键因素，减小其中的任何一个都可以减小开关电源中的电磁干扰。由上述可知，di/dt和dv/dt重要是由开关管的快速开关及二极管的反向恢复造成的。所以，假如要抑制开关电源中的EMI就必须解决开关管的快速开关及二极管的反向恢复所带来的问题。

6.2.2.1并接吸收装置

采取吸收装置是抑制电磁干扰的好办法。吸收电路的基本原理就是开关在断开时为开关供应旁路，吸收蓄积在寄生分布参数中的能量，从而抑制干扰发生。常用的吸收电路有RC、RCD。此类吸收电路的优点就是结构简单、价格便宜、便于执行，所以是常用的抑制电磁干扰的方法。

6.2.2.1.1并接RC电路

在开关管T两端加RC吸收电路，如图3所示。在二次整流回路中的整流二极管D两端加RC吸收电路，如图5所示，抑制浪涌电流。

6.2.2.1.2并接RCD电路

在开关管T两端加RCD吸收电路，如图4所示。

6.2.2.2串接可饱和磁芯线圈

二次整流回路中，与整流二极管D串接可饱和磁芯的线圈，如图5所示。可饱和磁芯线圈在通过正常电流时磁芯饱和，电感量很小，不会影响电路正常上作。一旦电流要反向时，磁芯线圈将出现很大的反电动势，阻止反向电流的上升。因此，将它与二极管D串联就能有效地抑制二极管D的反向浪涌电流。

6.2.3传统准谐振技术

一般来说，可以采用软开关技术来解决开关管的问题，如图6所示。图6给出了开关管工作在软开关条件下的开关轨迹。软开关技术重要减小开关管上的开关损耗，也可以抑制开关管上的电磁干扰。在所有的软开关技术中，准谐振抑制开关管上电磁干扰的效果比较好，所以本文以准谐振技术为例，介绍软开关技术抑制EMI。所谓准谐振就是开关管在电压谷底开通，见图7。开关中寄生电感与电容作为谐振元件的一部分，可完全控制开关导通时电流浪涌与断开时电压浪涌的发生。采用这种方式不仅能把开关损耗减到很小，而且能降低噪声。谷底开关要求关断时间中储存在中的能量必须在开关开通时释放掉。它的平均损耗为，由此公式可以看出，减小会导致大大降低，从而减小开关上的应力，提高效率，减小dv/dt，即减小EMI。

6.2.4LLC串联谐振技术

图8为LLC串联谐振的拓扑结构。从图中可以看出，两个主开关Ql和Q2构成一个半桥结构，其驱动信号是固定50％占空比的互补信号，电感Ls、电容Cs和变压器的励磁电感Lm构成一个LLC谐振网络。在LLC串联谐振变换器中，由于励磁电感Lm串联在谐振回路中，开关频率可以低于LC的本征谐振频率fs，而只需高于LLC的本征谐振频率fm便可实现主开关的零电压开通。所以，LLC串联谐振可以降低主开关管上的EMI，把电磁辐射干扰（EMI）减至最少。在LLC谐振拓扑中，只要谐振电流还没有下降到零，频率对输出电压的调节趋势就没有变，即随着频率的下降输出电压将继续上升，同时由于谐振电流的存在，半桥上下两个主开关的零电压开通条件就得以保证。因此，LLC谐振变换器的工作频率有一个下限，即Cs与Ls和Lm的串联谐振频率fm。在工作频率范围fm《f《fs内，原边的主开关均工作在零电压开通的条件下，并且不依赖于负载电流的大小。同时，副边的整流二极管工作在断续或临界断续状态下，整流二极管可以零电流条件下关断，其反向恢复的问题得以解决，不再有电压尖峰出现。

6.2.5抑制方法比较分析研究

采用并联RC吸收电路和串联可饱和磁芯线圈均为简单常用的方法，重要是抑制高电压和浪涌电流，起到吸收和缓冲用途，其对EMI的抑制效果相比准谐振技术与LLC串联谐振技术较差。下面着重对准谐振技术与LLC串联谐振技术进行比较分析。在准谐振中加入RCD缓冲电路，即由二极管，电容器和电阻组成的尖峰电压吸收电路，其重要用途是用来吸收MOSFET功率开关管在关断时出现的上升沿尖峰电压能量，减少尖峰电压幅值，防止功率开关管过电压击穿。但是，这样将会新增损耗，而且由于缓冲电路中采用了二极管，也将新增二极管的反向恢复问题。由上述分析可以看出，准谐振技术重要减小开关管上的开关损耗，也可以抑制开关管上的电磁干扰，但是它不能抑制二极管上的电磁干扰，而且当输入电压增大时，频率提高；当输出负载增大时，频率降低，所以它的抑制效果不是很好，一般不能达到人们所希望的结果。所以假如想得到更好的抑制效果，必须解决二极管上的反向恢复问题，这样抑制效果才能令人们满意。LLC串联谐振拓扑结构比准谐振抑制EMI的效果好。其优点已在上面进行了分析。

6.2.6结语

随着开关电源技术的不断发展，其体积越来越小，功率密度越来越大，EMI问题已经成为开关电源稳定性的一个关键因素。开关电源内部开关管及二极管是EMI重要发生源。本文重要介绍了四种抑制开关管及二极管EMI的方法并进行了分析比较，目的是找到更为有效的抑制EMI的方法。通过分析比较得出LLC串联谐振技术的抑制效果较好，而且其效率随电压升高而升高，其工作频率随电压变化较大，而随负载的变化较小。责任编辑:pj