低温18650 3500
无磁低温18650 2200
过针刺低温18650 2200
低温磷酸3.2V 20Ah
21年专注锂电池定制

研究证据提示纯石墨烯不适合当硅材料接班人

钜大LARGE  |  点击量:1357次  |  2018年07月01日  

让石墨烯(graphene)成为半导体矽材料的接班人,已经成为美国、日本、欧洲甚至是中国等地政府大力支持的优先研究项目;但因为石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性,美国麻省理工学院(MIT)与哈佛大学(HarvardUniversity)的研究人员认为大家可能都搞错了方向,应该是找寻性能媲美石墨烯、但具备能隙的化合物材料。

研究人员指出,有一类以NiHITP(nickelhexa-imino-triphenylene)为代表的材料,就拥有上述特性。MIT化学教授MirceaDinca表示:「就像石墨可剥离为石墨烯(也不过就是片状的石墨),我们所开发的材料也能剥离成片状;相较于石墨烯层,我们的材料层是能透过受控制的化学改质(chemicalmodification)来调节,因此能有系统地改变其电子特性。」

该种新开发材料的正式名称是「Ni3(HITP)2」,因为它键合了镍(Ni)的3个原子以及2个HITP有机分子;不过NiHITP只是一个具备天然能隙之材料类别中的第一种,能针对特定应用在原子等级调节其电子功能。

钜大锂电,22年专注锂电池定制

钜大核心技术能力