低温18650 3500
无磁低温18650 2200
过针刺低温18650 2200
低温磷酸3.2V 20Ah
21年专注锂电池定制

使用双处理器延长锂电池寿命

钜大LARGE  |  点击量:642次  |  2021年04月29日  

在面对必须延长电池寿命的需求时,很多系统设计师认为单个芯片所消耗的功耗比两个芯片要少。原因似乎很简单:芯片间通信比单个芯片工作消耗更多的功耗,两个芯片上有更多的晶体管,因此要比有相同功能的单芯片有更多的漏电流。但功耗节省技术却给这种传统观点迎头一击。


DSp设计师将更多的功能,如加速器、通信模块和网络外设集成到DSp芯片上,使芯片对工程师更为有用。但这种更强大的芯片在完成简单的内务管理或监控任务时,会消耗比该任务所需更多的功耗。在多种情况下,设计师无法只启用DSp芯片中所需部分的功能。


在某些应用中,微控制器(MCU)可执行相同的系统监控任务,而比DSp消耗更少的功耗。所以,双芯片的架构:DSp及MCU也是可行的。因此,使用一个低功耗DSp作为主处理器,另一个低功耗MCU作为系统监控器,就可延长单个DSp完成相同任务所消耗的电池寿命。为了帮助节省功耗,工程师在选择DSp时要考虑以下因素:


寻找较大容量的片上内存。DSp访问芯片外存储器时总会消耗更多功耗。外部DRAM存储要恒定的功耗,这会消耗电池的电能。选择一个可启动和关闭外设的DSp。有一些DSp可对不活动的片上外设自动断电,这种能力供应了多种级别的控制和功耗节省。选择一个在不同功耗级别能实现多种待机状态的DSp。多电源可节省更多能耗。选择供应了能优化功耗使用并降低功耗的开发软件的DSp。工具应让开发人员轻松地动态改变芯片的电压和频率、管理电源状态,帮助他们评估和分析功耗信息。MCU消耗较少电流


在某些应用中的MCU中,低功耗的半导体工艺可降低晶体管漏电流,帮助芯片设计师优化低功耗运行。可惜的是,低功耗工艺会限制MCU性能。例如,一个TexasInstrumentsMSp430MCU在待机模式下消耗500nA电流,最大时钟频率为16MHz。而TMS320C5506DSp运行的最大时钟频率为108MHz,在待机模式下消耗10µA电流。这表明它消耗了比MSp430高出20倍的电流。

过针刺 低温防爆18650 2200mah
符合Exic IIB T4 Gc防爆标准

充电温度:0~45℃
-放电温度:-40~+55℃
-40℃最大放电倍率:1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%

从以前的发展历程上看,一直由软件控制内部MCU外设,这表明CpU总保持活动状态。但新的中断驱动(interrupt-driven)外设只要较少的软件开销,允许MCU在多数时间保持待机模式。以内部模数转换器(ADC)硬件为例,它可自动扫描输入通道、触发器转换和执行DMA传输,来处理接收的数据采样任务。结果,ADC几乎是自发地运行,CpU只用很少的时间为其供应服务,MCU节省了功耗。


多时钟降低功耗要求


MCU的时钟系统设计还可帮助降低功耗。图1中的电路图显示了由单个晶体运行的两个时钟。MCU通常使用一个32kHz晶体,但不一定会同时生成内部时钟信号、系统时钟(MCLK)和辅助时钟(ACLK)信号。通常,晶体只生成ACLK信号。MCU的低功耗外设使用同时驱动MCU实时时钟的32kHz辅助时钟,高速数字控制振荡器(DCO)生成CpU和高速外设的系统时钟信号。


DCO能以几种方式生成时钟信号,每种都有不同的性能和功耗特点。从低到高的功耗,这些时钟模式有超低功耗振荡器(VLO)、3kHz晶体到DCO。为了降低功耗,设计师在闲置模式下使用最低的时钟(VLO或32kHz晶体),当应用要CpU的活动处理时,实现了高频DCO。DCO可在不到1µs的时间内进入活动状态并达到完全稳定。这种即时启用的能力节省了时间和功耗。注意,在活动处理过程中使用低频率的低功耗时钟会比切换到更快的时钟下消耗更多的的功耗。在较高的功耗活动模式下,低频时钟使CpU花费更多的时间在特定的任务上。


除了对某些外设使用低速时钟节省功耗外,MSp430MCU还供应了超低功耗振荡器来生成ACLK信号。在其待机功耗运行模式(LpM3)下,在ACLK运行和所有中断启用状态下,MSp430MCU通常消耗不到1µA的电流。所以,低功耗的MCU在保持实时的时钟或管理电池充电过程中比DSp消耗更少的功耗。而且,将这些任务交给MCU也可将DSp解脱出来,使其可执行其擅长的的信号处理任务。

无人船智能锂电池
IP67防水,充放电分口 安全可靠

标称电压:28.8V
标称容量:34.3Ah
电池尺寸:(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
应用领域:勘探测绘、无人设备

钜大锂电,22年专注锂电池定制

钜大核心技术能力