常见的太阳能电池的制作过程【钜大锂电】

随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不了解这些产品的一些组成，比如太阳能电池。太阳能电池在多年前就已经得到的发展，在生活的诸多方面，太阳能电池给我们带来了诸多便利。我们都了解，太阳能电池的好处之一便是环保。为增进大家对太阳能电池的了解程度，本文将对太阳能电池的制作过程予以介绍。假如你对太阳能电池具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、太阳能电池

太阳能电池，也称为“太阳能芯片”或“光电池”，是使用阳光直接发电的光电半导体片。只要将其暴露在满足某些照度条件的光线下，当存在环路时，它就可以立即输出电压并出现电流。在物理学上，它称为光伏(photovoltaic，缩写为pV)，或简称为pV。太阳能电池是通过光电效应或光化学效应将光能直接转换成电能的装置。具有光电效应的晶体硅太阳能电池是主流，而具有光化学效应的薄膜电池的太阳能电池仍处于起步阶段。

二、太阳能电池如何制作

1.硅片的切割和材料准备：在硅电池的工业生产中使用的单晶硅材料通常是通过坩埚Czochralski方法制成的太阳能级单晶硅棒。原始形状为圆柱形，然后切成方形硅片(或多晶硅方形硅片)，硅片的边长通常为10〜15cm，厚度约为200〜350um，电阻率约为1Ωcmp-类型(掺硼)。

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2.去除损坏的层：在硅晶片的切割过程中将出现大量的表面缺陷，这将引起两个问题。首先，表面质量差，并且这些表面缺陷将在电池制造过程中新增碎片的数量。因此，为了去除切削损伤层，通常使用碱或酸腐蚀，并且腐蚀的厚度为约10μm。

3.纹理化：纹理化是用酸或碱腐蚀相对光滑的原料硅晶片的表面，使其不均匀，粗糙，并形成漫反射，以减少直接在硅晶片表面上损失的太阳能。关于单晶硅，通常使用NaOH和酒精进行腐蚀。单晶硅的各向异性腐蚀用于在表面上形成无数的金字塔结构。碱液的温度为约80度，浓度为约1至2%，并且蚀刻时间为约80度。大约15分钟。关于多晶，通常使用酸蚀刻。

4.扩散结：扩散的目的是形成一个pN结。磷通常用于n型掺杂。由于固态扩散要高温，因此在扩散之前清洁硅晶片的表面非常重要。织构后必须清洁硅晶片，即，使用酸中和硅晶片表面上的碱残留物和金属杂质。

5.边缘蚀刻和清洁：在扩散过程中，在硅晶片的外围表面上还形成了扩散层。外围扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将其除去。外围的任何局部短路都会降低电池的并联电阻，甚至成为废品。目前，等离子干蚀刻用于工业生产中。在辉光放电条件下，氟和氧交替用途在硅上，以去除包含扩散层的外围。扩散后进行清洁的目的是去除在扩散过程中形成的磷硅酸盐玻璃。

6.沉积抗反射层：沉积抗反射层的目的是减少表面反射并新增折射率。pECVD被广泛用于沉积SiN，因为pECVD不仅会生长SiN作为抗反射膜，而且还会出现大量的原子氢。这些氢原子在多晶硅晶片上具有表面钝化和整体钝化的双重用途。用于批量生产。