三星ARM四核心处理器曝光！电池续航力可增34-50%

三星电子(SamsungElectronics)在2012年二月19-二十三日举办的国际固态电路会议(InternationalSolid-StateCircuitsConference，ISSCC)上抢先展示了旗下首款四核心应用处理器。

根据报导这是三星旗下率先采用32奈米高介电常数金属闸极(high-kmetal-gate,HKMG)制程的处理器，拥有更快的运算效能与更长的电池续航力。此外，该款四核心应用处理器拥有不同版本，采用两颗或四颗ARMCortexA9架构核心，时脉介于200MHz至1.5GHz之间。三星指出，拜32奈米制程技术以及多种电源和热能管理技术之赐，这款四核心应用处理器的运算效能较三星目前的45奈米Exynos处理器高出26%，电池续航力更新增了34-50%。

三星指出，这款四核心应用处理器还能将视讯图框率(videoframerate)提升26.3%。三星并且在展示指出，这款晶片在运算3D绘图时耗电量较45奈米晶片少了48%，在执行中央处理器(CpU)工作时耗电量则低了45%。

三星系统单晶片(SoC)重要开发工程师Se-HyungYang在简报中指出，最近新推的行动装置都有耗电量大幅上升的问题，但其散热能力却有限。他并表示，三星很快就会正式发表这项产品，时间可能会落在二月二十七日举办的行动通讯世界大会(MWC)。

绘图晶片巨擘NVIDIA已抢在2011年发表了四核心行动处理器。TheVerge报导，NVIDIA执行长黄仁勋二月十五日在电话会议上指出，搭载「Tegra3」行动四核心(ARMCoretexA9)处理器的智慧型手机可望在本季开始出货，而这些装置将会在MWC公开展示。黄仁勋同时预期，Tegra3展品今年可望快速成长；预期来自Windows8装置的贡献将可能自Q3起显著提高。

过针刺 低温防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆标准

充电温度：0~45℃
-放电温度：-40~+55℃
-40℃最大放电倍率：1C
-40℃ 0.5放电容量保持率≥70%

点击详情